mos 地方 效应 晶体管
描述
这 2sk2462 是 n-频道 mos 地方 效应 晶体管 de-
signed 为 高 电流 切换 产品.
特性
•
低 在-阻抗
R
ds(在)1
= 0.14
Ω
最大值 (@ v
GS
= 10 v, i
D
= 8.0 一个)
R
ds(在)2
= 0.17
Ω
最大值 (@ v
GS
= 4 v, i
D
= 8.0 一个)
•
低 c
iss
C
iss
= 790 pf 典型值
•
建造-在 g-s 门 保护 二极管
•
高 avalanche 能力 比率
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25 ˚c)
流 至 源 电压 V
DSS
100 V
门 至 源 电压 V
GSS
±
20 V
流 电流 (直流) I
d(直流)
±
15 一个
流 电流 (脉冲波)
*
I
d(脉冲波)
±
60 一个
总的 电源 消耗 (t
c
= 25 ˚c) P
T1
30 W
总的 电源 消耗 (t
一个
= 25 ˚c) P
T2
2.0 W
频道 温度 T
ch
150 ˚C
存储 温度 T
stg
–55 至 +150 ˚C
单独的 avalanche 电流
**
I
作
15 一个
单独的 avalanche 活力
**
E
作
22.5 mJ
*
PW
≤
10
µ
s, 职责 循环
≤
1 %
**
开始 t
ch
= 25 ˚c, r
G
= 25
Ω
, v
GS
= 20 v
→
0
2SK2462
切换
n-频道 电源 mos 场效应晶体管
工业的 使用
文档 非. d10031ej1v0ds00
日期 发行 将 1995 p
打印 在 日本
©
1995
数据 薄板
流
源
身体
二极管
门
门 保护
二极管
mp-45f(分开的 至-220)
10.0 ±0.3
3.2 ±0.2
4.5 ±0.2
2.7 ±0.2
15.0 ±0.3
3 ±0.1
12.0 ±0.2
13.5
最小值
4 ±0.2
1.3 ±0.2
1.5 ±0.2
2.542.54
0.7 ±0.1
0.65 ±0.1
2.5 ±0.1
123
1. 门
2. 流
3. 源
包装 维度
(在 毫米)
这 二极管 连接 在 这 门 和 源 的 这
晶体管 serves 作 一个 protector 相反 静电释放. 当 这个
设备 是 的确 使用, 一个 额外的 保护 电路 是
externally 必需的 如果 一个 电压 exceeding 评估 电压 将
是 应用 至 这个 设备.
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