ds05-11138-1e
fujitsu 半导体
数据SHEET
记忆
un-缓冲
16 m
×
64 位
同步的 动态 内存 dimm
mb8516s064cz-102/-103/-102l/-103l
168-管脚, 4 时钟, 2-bank, 为基础 在 8 m
×
8 位 sdrams 和 spd
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描述
这 fujitsu mb8516s064cz 是 一个 全部地 解码, cmos 同步的 动态 随机的 进入 记忆 (sdram)
单元 consisting 的 十六 mb81f64842c 设备 这个 有组织的 作 四 banks 的 8 m
×
8 位 和 一个 2k-位
串行 可擦可编程只读存储器 在 一个 168-管脚 glass-环氧的 基质.
这 mb8516s064cz 特性 一个 全部地 同步的 运作 关联 至 一个 积极的 边缘 时钟 凭此 所有
行动 是 同步 在 一个 时钟 输入 这个 使能 高 效能 和 简单的 用户 接口
coexistence.
这 mb8516s064cz 是 优化 为 那些 产品 需要 高 速, 高 效能 和 大
记忆 存储, 和 高 密度 记忆 organizations.
这个 单元 是 ideally suited 为 workstations, pcs, 激光器 printers, 和 其它 产品 在哪里 一个 简单的 接口
是 需要.
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产品 线条 &放大; 特性
参数 mb8516s064cz-102/-102l mb8516s064cz-103/-103l
cl-t
RCD
-t
RP
2-2-2 clk 最小值 3-2-2 clk 最小值
时钟 频率 100 mhz 最大值 100 mhz 最大值
burst 模式 循环 时间 10 ns 最小值 10 ns 最小值
输出 有效的 从 时钟 6 ns 最大值 (cl = 2) 6 ns 最大值 (cl = 3)
电源 消耗
二 banks 起作用的 5904 mw 最大值 5904 mw 最大值
自 refresh 模式
57.6 mw 最大值 (标准. 电源)
28.8 mw 最大值 (低 电源)
57.6 mw 最大值 (标准. 电源)
28.8 mw 最大值 (低 电源)
• un-缓冲 168-管脚 dimm 插座 类型
(含铅的 程度: 1.27 mm)
• conformed 至 电子元件工业联合会 标准 (4 clk)
• organization: 16,777,216 words
×
64 位
• 记忆: mb81f64842c (8 m
×
8, 4-bank)
×
16 pcs
• 3.3 v
±
0.3 v 供应 电压
• 所有 输入/输出 lvttl 兼容
• conformed 至 intel pc/100 规格
• 4096 refresh 循环 每 65.6 ms
• 自动 和 自 refresh
• cke 电源 向下 模式
• dqm 字节 masking (读/写)
• 串行 存在 发现 (spd) 和 串行 可擦可编程只读存储器:
intel spd 规格 rev 1.2a format
• 单元 大小:
1.375” (height)
×
5.25” (长度)
×
0.157” (厚度)
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