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motorola small–signal 晶体管, fets 和 二极管 设备 数据
驱动器 晶体管
pnp 硅
最大 比率
比率 标识 MMBTA55 MMBTA56 单位
集电级 – 发射级 电压 V
CEO
–60 –80 Vdc
集电级 – 根基 电压 V
CBO
–60 –80 Vdc
发射级– 根基 电压 V
EBO
–4.0 Vdc
集电级 电流 — 持续的 I
C
–500 mAdc
设备 标记
mmbta55lt1 = 2h; mmbta56lt1 = 2gm
热的 特性
典型的 标识 最大值 单位
总的 设备 消耗 fr–5 板,
(1)
T
一个
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
225
1.8
mW
mw/
°
C
热的 阻抗, 接合面 至 包围的
R
q
JA
556
°
c/w
总的 设备 消耗
alumina 基质,
(2)
T
一个
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
300
2.4
mW
mw/
°
C
热的 阻抗, 接合面 至 包围的
R
q
JA
417
°
c/w
接合面 和 存储 温度 T
J
, t
stg
–55 至 +150
°
C
电的 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
典型的
标识 最小值 最大值 单位
止 特性
集电级 – 发射级 损坏 电压
(3)
MMBTA55
(i
C
= –1.0 madc, i
B
= 0) MMBTA56
V
(br)ceo
–60
–80
—
—
Vdc
发射级– 根基 损坏 电压 (i
E
= –100
m
模数转换器, i
C
= 0)
V
(br)ebo
–4.0 — Vdc
集电级 截止 电流 (v
CE
= –60 vdc, i
B
= 0) I
CES
— –0.1
µ
模数转换器
集电级 截止 电流 (v
CB
= –60 vdc, i
E
= 0) MMBTA55
集电级 截止 电流(v
CB
= –80 vdc, i
E
= 0) MMBTA56
I
CBO
—
—
–0.1
–0.1
µ
模数转换器
在 特性
直流 电流 增益 (i
C
= –10 madc, v
CE
= –1.0 vdc)
直流 电流 增益(i
C
= –100 madc, v
CE
= –1.0 vdc)
h
FE
100
100
—
—
—
集电级 – 发射级 饱和 电压 (i
C
= –100 madc, i
B
= –10 madc) V
ce(sat)
— –0.25 Vdc
base–emitter 在 电压 (i
C
= –100 madc, v
CE
= –1.0 vdc) V
是(在)
— –1.2 Vdc
SMALL–信号 特性
电流 – 增益 — 带宽 产品
(4)
(i
C
= –100 madc, v
CE
= –1.0 vdc, f = 100 mhz)
f
T
50 — MHz
1. fr–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 在.
2. alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 在. 99.5% alumina.
3. 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度
≤
300
µ
s, 职责 循环
≤
2.0%.
4. f
T
是 定义 作 这 频率 在 这个 |h
fe
| extrapolates 至 统一体.
热的 clad 是 一个 商标 的 这 bergquist 公司
Preferred
设备 是 motorola 推荐 choices 为 future 使用 和 最好的 整体的 值.
顺序 这个 文档
用 mmbta55lt1/d
MOTOROLA
半导体 技术的 数据
MMBTA55LT1
MMBTA56LT1
*motorola preferred 设备
*
1
2
3
情况 318 – 08, 样式 6
SOT– 23 (至 – 236ab)
motorola, 公司 1996
集电级
3
1
根基
2
发射级
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