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motorola tmos 电源 场效应晶体管 晶体管 设备 数据
设计者's
数据 薄板
TMOS e-场效应晶体管.
电源 地方 效应 晶体管
n–channel enhancement–mode 硅 门
这个一个dvanced tMOs e–FETis designed to withstand high
活力在 这 avalanche 和 commutation 模式. 这 新 活力
效率高的design 一个lso offers 一个 drain–to–source diodew它h 一个 fast
恢复time. designed for low voltage, high speed switching
applications in power supplies, converters 一个nd pWm motor
控制,这些 设备 是 特别好 suited 为 桥 电路
在哪里diode speed 一个nd commutating safe operating 一个reas 一个re
核心的一个nd offer 一个dditional safety margin 一个gainstunexpected
电压 过往旅客.
•
avalanche 活力 指定
•
source–to–drain 二极管 恢复 时间 comparable 至 一个
分离的 快 恢复 二极管
•
二极管 是 典型 为 使用 在 桥 电路
•
I
DSS
和 v
ds(在)
指定 在 提升 温度
最大 比率
(t
C
= 25
°
c 除非 否则 指出)
比率
标识 值 单位
drain–source 电压 V
DSS
100 Vdc
drain–gate 电压 (r
GS
= 1.0 m
Ω
) V
DGR
100 Vdc
Gate–Source— 持续的
— non–repetitive (t
p
≤
10 ms)
V
GS
V
GSM
±
20
±
40
Vdc
Vpk
流 电压 — 持续的
— 持续的 @ 100
°
C
— 单独的 脉冲波 (t
p
≤
10
µ
s)
I
D
I
D
I
DM
33
20
99
模数转换器
Apk
总的 电源 消耗
减额 在之上 25
°
C
P
D
125
1.0
Watts
w/
°
C
运行 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
– 55 至 150
°
C
单独的 脉冲波 drain–to–source avalanche 活力 — 开始 t
J
= 25
°
C
(v
DD
= 25 vdc, v
GS
= 10 vdc, i
L
= 33 apk, l = 1.000 mh, r
G
= 25
Ω
)
E
作
545 mJ
热的 阻抗— 接合面 至 情况
— 接合面 至 包围的
R
θ
JC
R
θ
JA
1.00
62.5
°
c/w
最大 含铅的 temperature 为 焊接 目的, 1/8
″
从 情况 为 10 秒 T
L
260
°
C
Designer’s数据 为 “worst case” 情况
— 这 设计者’s 数据 薄板 准许 这 设计 的 大多数 电路全部地 从 这 信息 提交. soa 限制
曲线— representing boundaries 在 设备 特性 — 是 给 至 facilitate “worst case” 设计.
e–fet 和 设计者’s 是 商标 的 motorola, 公司 tmos 是 一个 注册 商标 的 motorola, 公司
Preferred
设备 是 motorola 推荐 choices 为 future 使用 和 最好的 整体的 值.
rev 3
顺序 这个 文档
用 mtp33n10e/d
MOTOROLA
半导体 技术的 数据
motorola, 公司 1995
MTP33N10E
tmos 电源 场效应晶体管
33 amperes
100 伏特
R
ds(在)
= 0.06 ohm
motorola preferred 设备
D
S
G
情况 221a–06, 样式 5
TO–220AB
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