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motorola tmos 电源 场效应晶体管 晶体管 设备 数据
设计者's
数据 薄板
TMOS e-场效应晶体管.
电源 地方 效应 晶体管
n–channel enhancement–mode 硅 门
这个 高 电压 场效应晶体管 使用 一个 先进的 末端
scheme 至 提供 增强 voltage–blocking 能力 没有
degrading 效能 在 时间. 在 增加, 这个 先进的 tmos
e–fet 是 设计 至 承受 高 活力 在 这 avalanche 和
commutation 模式. 这 新 活力 效率高的 设计 也 提供 一个
drain–to–source 二极管 和 一个 快 恢复 时间. 设计 为 高
电压, 高 速 切换 产品 在 电源 供应,
转换器 和 pwm 发动机 控制, 这些 设备 是 特别
好 suited 为 桥 电路 在哪里 二极管 速 和 commutating
safe 运行 areas 是 核心的 和 提供 额外的 安全 余裕
相反 unexpected 电压 过往旅客.
•
强健的 高 电压 末端
•
avalanche 活力 指定
•
source–to–drain 二极管 恢复 时间 comparable 至 一个
分离的 快 恢复 二极管
•
二极管 是 典型 为 使用 在 桥 电路
•
I
DSS
和 v
ds(在)
指定 在 提升 温度
最大 比率
(t
C
= 25
°
c 除非 否则 指出)
比率 标识 值 单位
drain–source 电压 V
DSS
800 Vdc
drain–gate 电压 (r
GS
= 1.0 m
Ω
) V
DGR
800 Vdc
gate–source 电压 — 持续的
gate–source 电压— non–repetitive (t
p
≤
10 ms)
V
GS
V
GSM
±
20
±
40
Vdc
Vpk
流 电流 — 持续的
流 电流— 持续的 @ 100
°
C
流 电流— 单独的 脉冲波 (t
p
≤
10
µ
s)
I
D
I
D
I
DM
4.0
2.9
12
模数转换器
Apk
总的 电源 消耗
减额 在之上 25
°
C
P
D
125
1.0
Watts
w/
°
C
运行 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
– 55 至 150
°
C
单独的 脉冲波 drain–to–source avalanche 活力 — 开始 t
J
= 25
°
C
(v
DD
= 100 vdc, v
GS
= 10 vdc, i
L
= 8.0 apk, l = 10 mh, r
G
= 25
Ω
)
E
作
320 mJ
热的 阻抗 — 接合面 至 情况
热的 阻抗— 接合面 至 包围的
R
θ
JC
R
θ
JA
1.0
62.5
°
c/w
最大 含铅的 温度 为 焊接 目的, 1/8
″
从 情况 为 10 秒 T
L
260
°
C
设计者’s 数据 为 “worst case” 情况
— 这 设计者’s 数据 薄板 准许 这 设计 的 大多数 电路 全部地 从 这 信息 提交. soa 限制
曲线 — representing boundaries 在 设备 特性 — 是 给 至 facilitate “worst case” 设计.
e–fet 和 设计者’s 是 商标 的 motorola, 公司 tmos 是 一个 注册 商标 的 motorola, 公司
Preferred
设备 是 motorola 推荐 choices 为 future 使用 和 最好的 整体的 值.
rev 5
顺序 这个 文档
用 mtp4n80e/d
MOTOROLA
半导体 技术的 数据
motorola, 公司 1996
MTP4N80E
tmos 电源 场效应晶体管
4.0 amperes
800 伏特
R
ds(在)
= 3.0 ohm
motorola preferred 设备
D
S
G
情况 221a–06, 样式 5
TO–220AB
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