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motorola tmos 电源 场效应晶体管 晶体管 设备 数据
设计者's
数据 薄板
HDTMOS e-场效应晶体管
电源 地方 效应 晶体管
n–channel enhancement–mode 硅 门
这个先进的 high–cell 密度 hdtmos e–fet 是 设计至
承受高 活力 在 这 avalanche 和 commutation模式.
这个new energy–efficient design 一个lso offers 一个 drain–to–source
二极管w它h 一个 f一个st recovery time. designed for low–voltage,
high–speed切换 产品 在 电源 供应, 转换器
和pwm 发动机 控制, 和 其它 inductive 负载. 这 avalanche
活力能力 是 指定 至 eliminate 这guesswork 在 设计
在哪里inductive 负载 是 切换, 和 至 的fer 额外的安全
余裕 相反 unexpected 电压 过往旅客.
•
过激 低 r
ds(在)
, high–cell 密度, hdtmos
•
额外的刺激 参数 有
•
二极管 是 典型 为 使用 在 桥 电路
•
二极管 exhibits 高 速, 还 软 恢复
•
I
DSS
和 v
ds(在)
指定 在 提升 温度
•
avalanche 活力 指定
最大 比率
(t
C
= 25
°
c 除非 否则 指出)
比率
标识 值 单位
drain–source 电压 V
DSS
50 Vdc
drain–gate 电压 (r
GS
= 1.0 m
Ω
) V
DGR
50 Vdc
gate–source 电压 — 持续的 V
GS
±
20 Vdc
流 电流 — 持续的
流 电流— 持续的 @ 100
°
C
流 电流— 单独的 脉冲波 (t
p
≤
10
µ
s)
I
D
I
D
I
DM
75
65
225
模数转换器
Apk
总的 电源 消耗
减额 在之上 25
°
C
P
D
150
1
Watts
w/
°
C
运行 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
– 55 至 175
°
C
单独的 脉冲波 drain–to–source avalanche 活力 — 开始 t
J
= 25
°
C
(v
DD
= 25 vdc, v
GS
= 10 vpk, i
L
= 75 apk, l = 0.177 mh, r
G
= 25
Ω
)
E
作
500 mJ
热的 阻抗 — 接合面 至 情况
热的 阻抗— 接合面 至 包围的
R
θ
JC
R
θ
JA
1.00
62.5
°
c/w
最大 含铅的 temperature 为 焊接 目的, 1/8
″
从 情况 为 10 秒 T
L
260
°
C
设计者’s 数据 为 “worst case” 情况
— 这 设计者’s 数据 薄板 准许 这 设计 的 大多数 电路 全部地 从 这 信息 提交. soa 限制
曲线 — representingboundaries 在 设备 特性 — 是 给 至 facilitate “worst case” 设计.
设计者’s,e–fet 和 hdtmos 是 商标 的 motorola 公司
Preferred
设备 是 motorola 推荐 choices 为 future 使用 和 最好的 整体的 值.
rev 2
顺序 这个 文档
用 mtp75n05hd/d
MOTOROLA
半导体 技术的 数据
motorola, 公司 1995
情况 221a–06, 样式 5
TO–220AB
MTP75N05HD
tmos 电源 场效应晶体管
75 amperes
R
ds(在)
= 9.5 m
Ω
50 伏特
motorola preferred 设备
D
S
G
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