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motorola small–signal 晶体管, fets 和 二极管 设备 数据
高 电压 晶体管
表面 挂载
npn 硅
最大 比率
比率 标识 值 单位
集电级-发射级 电压 (打开 根基) V
CEO
300 Vdc
集电级-根基 电压 (打开 发射级) V
CBO
300 Vdc
发射级-根基 电压 (打开 集电级) V
EBO
6.0 Vdc
集电级 电流 (直流) I
C
500 mAdc
总的 电源 消耗 @ t
一个
= 25
°
C
(1)
P
D
1.5 Watts
存储 温度 范围 T
stg
– 65 至 +150
°
C
接合面 温度 T
J
150
°
C
设备 标记
P1D
热的 特性
典型的 标识 最大值 单位
热的 阻抗, 接合面-至-包围的
(1)
R
θ
JA
83.3
°
c/w
电的 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
特性
标识 最小值 最大值 单位
止 特性
集电级-发射级 损坏 电压
(2)
(i
C
= 1.0 madc, i
B
= 0)
V
(br)ceo
300 — Vdc
集电级-根基 损坏 电压
(i
C
= 100
µ
模数转换器, i
E
= 0)
V
(br)cbo
300 — Vdc
发射级-根基 损坏 电压
(i
E
= 100
µ
模数转换器, i
C
= 0)
V
(br)ebo
6.0 — Vdc
集电级-根基 截止 电流
(v
CB
= 200 vdc, i
E
= 0)
I
CBO
— 0.1
µ
模数转换器
发射级-根基 截止 电流
(v
是
= 6.0 vdc, i
C
= 0)
I
EBO
— 0.1
µ
模数转换器
1. 设备 挂载 在 一个 glass 环氧的 打印 电路 板 1.575 在. x 1.575 in. x 0.059 in.; 挂载 垫子 为 这 集电级 含铅的 最小值 0.93 在
2
.
2. 脉冲波 测试 情况, t
p
= 300
µ
s,
δ
= 0.02.
Preferred
设备 是 motorola 推荐 choices 为 future 使用 和 最好的 整体的 值.
热的 clad 是 一个 商标 的 这 bergquist 公司
顺序 这个 文档
用 pzta42t1/d
MOTOROLA
半导体 技术的 数据
motorola, 公司 1998
PZTA42T1
sot–223 包装
npn 硅
高 电压
晶体管
表面 挂载
motorola preferred 设备
情况 318e-04, 样式 1
至-261aa
1
2
3
4
集电级 2,4
根基
1
发射级 3
rev 3
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