BB202M_集成电路资料查询网

BB202M
build 在 偏置 电路 mos 场效应晶体管 ic
uhf rf 放大器
ade-208-714a (z)
2nd. 版本
dec. 1998
特性
•
build 在 偏置 电路; 至 减少 使用 部分 费用 &放大; pc 板 空间.
•
低 噪音 特性;
(nf = 2.1 db 典型值 在 f = 900 mhz)
•
承受 至 静电释放;
build 在 静电释放 absorbing 二极管. 承受 向上 至 200v 在 c=200pf, rs=0 情况.
•
提供 迷你 模型 包装; mpak-4r(sot-143 var.)
外形
注释: 1. 标记 是 “bv–”.
2. bb202m 是 单独的 类型 号码 的 hitachi bbfet.

标　题:
内　容:
用户名:

手机号:	(*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)

本平台电子爱好着纯手工中文简译:	截至2020/5/17日,支持英文词汇500个

BB202M build 在偏置电路 mos 场效应晶体管 ic uhf rf 放大器 ade-208-714a (z) 2nd. 版本 dec. 1998 特性 • build 在偏置电路; 至减少使用部分费用 &放大; pc 板空间. • 低噪音特性; (nf = 2.1 db 典型值在 f = 900 mhz) • 承受至静电释放; build 在静电释放 absorbing 二极管. 承受向上至 200v 在 c=200pf, rs=0 情况. • 提供迷你模型包装; mpak-4r(sot-143 var.) 外形注释: 1. 标记是 “bv–”. 2. bb202m 是单独的类型号码的 hitachi bbfet.

	电话：13410210660 QQ : 84325569
	联系方式： E-mail:CaiZH01@163.com