1
晶体管
2sd0874, 2sd0874a
(2sd874, 2sd874a)
硅 npn 外延的 planer 类型
为 低-频率 电源 放大器
complementary 至 2sb0766 (2sb766) 和 2sb0766a (2sb766a)
■
特性
●
大 集电级 电源 消耗 p
C
.
●
低 集电级 至 发射级 饱和 电压 v
ce(sat)
.
●
迷你 电源 类型 包装, 准许 downsizing 的 这 设备
和 自动 嵌入 通过 这 录音带 包装 和 这 maga-
zine 包装.
■
绝对 最大 比率
(ta=25˚c)
单位: mm
参数
集电级 至
根基 电压
集电级 至
发射级 电压
发射级 至 根基 电压
顶峰 集电级 电流
集电级 电流
集电级 电源 消耗
接合面 温度
存储 温度
1:根基
2:集电级 eiaj:sc–62
3:发射级 迷你 电源 类型 包装
4.5
±
0.1
2.6
±
0.1
2.5
±
0.1
0.4max.1.0
+0.1
–0.2
4.0
+0.25
–0.20
3.0
±
0.15
1.5
±
0.1
0.4
±
0.08
0.5
±
0.08
1.5
±
0.1
0.4
±
0.04
1.6
±
0.2
45
°
标记
321
标识
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
*
T
j
T
stg
比率
30
60
25
50
5
1.5
1
1
150
–55 ~ +150
单位
V
V
V
一个
一个
W
˚C
˚C
2SD0874
2SD0874A
2SD0874
2SD0874A
■
电的 特性
(ta=25˚c)
参数
集电级 截止 电流
集电级 至 根基
电压
集电级 至 发射级
电压
发射级 至 根基 电压
向前 电流 转移 比率
集电级 至 发射级 饱和 电压
根基 至 发射级 饱和 电压
转变 频率
集电级 输出 电容
标识
I
CBO
V
CBO
V
CEO
V
EBO
h
FE1
*1
h
FE2
V
ce(sat)
V
是(sat)
f
T
C
ob
情况
V
CB
= 20v, i
E
= 0
I
C
= 10
µ
一个, i
E
= 0
I
C
= 2ma, i
B
= 0
I
E
= 10
µ
一个, i
C
= 0
V
CE
= 10v, i
C
= 500ma
*2
V
CE
= 5v, i
C
= 1a
*2
I
C
= 500ma, i
B
= 50ma
*2
I
C
= 500ma, i
B
= 50ma
*2
V
CB
= 10v, i
E
= –50ma, f = 200mhz
V
CB
= 10v, i
E
= 0, f = 1mhz
最小值
30
60
25
50
5
85
50
典型值
160
0.2
0.85
200
最大值
0.1
340
0.4
1.2
20
单位
µ
一个
V
V
V
V
V
MHz
pF
2SD0874
2SD0874A
2SD0874
2SD0874A
*1
h
FE1
分级 分类
分级 Q R S
h
FE1
85 ~ 170 120 ~ 240 170 ~ 340
2SD0874 ZQ ZR ZS
2SD0874A YQ YR YS
标记 标识 :
Z
(2sd0874)
Y
(2sd0874a)
标记
标识
*
打印 电路 板: 铜 foil 范围 的 1cm
2
或者 更多, 和 这 板
厚度 的 1.7mm 为 这 集电级 portion
*2
脉冲波 度量
便条.) 这 部分 号码 在 这 parenthesis 显示
常规的 部分 号码.
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