HEXFET
®
电源 场效应晶体管
绝对 最大 比率
描述
03/16/01
www.irf.com 1
automotive 场效应晶体管
pd-94152
IRLL024NQ
参数 最大值 单位
I
D
@ t
C
= 25°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 4.5v 3.1
I
D
@ t
C
= 70°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 4.5v 2.6 一个
I
DM
搏动 流 电流
12
P
D
@T
C
= 25°c 电源 消耗
1.3 W
直线的 减额 因素 8.3 mw/°c
V
GS
门-至-源 电压 ±16 V
E
作
单独的 脉冲波 avalanche 活力
87 mJ
I
AR
avalanche 电流
看 图.16c, 16d, 19, 20 一个
E
AR
repetitive avalanche 活力
mJ
dv/dt 顶峰 二极管 恢复 dv/dt
9.9 v/ns
T
j,
T
STG
接合面 和 存储 温度 范围 -55 至 + 175 °C
sot-223
●
先进的 处理 技术
●
过激 低 在-阻抗
●
175°c 运行 温度
●
repetitive avalanche 允许 向上 至 tjmax
●
动态 dv/dt 比率
●
automotive [q101] qualified
益处
典型 产品
●
电子的 fuel injection
●
起作用的 suspension
●
电源 doors, windows &放大; seats
●
cruise 控制
●
空气 bags
S
D
G
V
DSS
= 55v
R
ds(在)
= 0.065
Ω
I
D
= 3.1a
参数 典型值 最大值 单位
R
θ
JA
接合面-至-amb. (pcb 挂载, 稳步的 状态)* 90 120
R
θ
JA
接合面-至-amb. (pcb 挂载, 稳步的 状态)** 50 60
热的 阻抗
°
c/w
* 当 挂载 在 fr-4 板 使用 最小 推荐 footprint.
** 当 挂载 在 1 inch 正方形的 铜 板, 为 comparison 和 其它 smd 设备.
specifically 设计 为 automotive 产品, 这个 hexfet
®
电源 场效应晶体管
在 一个 sot-223 包装 运用 这 lastest 处理 技巧 至 达到
极其 低 在-阻抗 每 硅 范围. 额外的 特性 的 这个 automotive
qualified hexfet 电源 场效应晶体管 是 一个 175
°
c 接合面 运行 温度,
快 切换 速 和 改进 repetitive avalanche 比率. 这些 益处
联合的 至 制造 这个 设计 一个 极其 效率高的 和 可依靠的 设备 为 使用 在
automotive 产品 和 一个 宽 多样性 的 其它 产品.
这 效率高的 sot-223 包装 是 设计 为 表面 挂载 和 这 enlarged tab
提供 改进 热的 特性 制造 它 完美的 在 一个 多样性 的 电源
产品. 电源 消耗 的 1.0w 是 可能 在 一个 典型 表面 挂载
应用. 有 在 录音带 &放大; 卷轴.
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