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资料编号:1087918
 
资料名称:2SC5229
 
文件大小: 137981K
   
说明
 
介绍:
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor
 
 


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sanyo electric co.,有限公司. 半导体 bussiness headquaters
tokyo 办公室 tokyo bldg., 1-10, 1 chome, ueno, taito-ku, tokyo, 110-8534 日本
任何 和 所有 sanyo 产品 描述 或者 包含 在此处 做 不 有 规格 那 能 handle
产品 那 需要 极其 高 水平 的 可靠性, 此类 作 生命-支持 系统, aircraft’s
控制 系统, 或者 其它 产品 谁的 失败 能 是 合理地 预期的 至 结果 在 严重的
物理的 和/或者 材料 损坏. 咨询 和 your sanyo 代表 最近的 你 在之前 使用
任何 sanyo 产品 描述 或者 包含 在此处 在 此类 产品.
sanyo 假设 非 责任 为 设备 failures 那 结果 从 使用 产品 在 值 那
超过, 甚至 短促地, 评估 值 (此类 作 最大 比率, 运行 情况 范围,或者 其它
参数) 列表 在 产品 规格 的 任何 和 所有 sanyo 产品 描述 或者 包含
在此处.
npn 外延的 planar 硅 晶体管
vhf 至 uhf 宽-带宽 低-噪音
放大器 产品
订货 号码:en5045
2SC5229
21599th (kt)/32795yk (koto) ta-0244 非.5045–1/5
规格
绝对 最大 比率
在 ta = 25˚c
包装 维度
单位:mm
2038A
[2SC5229]
特性
· 低 噪音 : nf=1.0db 典型值 (f=1ghz).
· 高 增益 :
S21e
2
=10.5db 典型值 (f=1ghz).
· 高 截止 频率 : f
T
=6.5ghz 典型值
· 中等 电源 运作 : nf=1.7db 典型值 (f=1ghz).
(v
CE
=8v, i
C
=40ma) :
S21e
2
=11db 典型值
(f=1ghz).
˚C
˚C
电的 特性
在 ta = 25˚c
1 : 根基
sanyo : pcp
(bottom 视图)
* : 这 2sc5229 是 classified 用 20ma h
FE
作 跟随 :
标记 : cy
h
FE
分级 : d, e, f
4.5
1.6
0.5
0.4
1.5
1.0
2.5
4.25max
3.0
1.5
0.4
0.75
3
2
1
retemaraPlobmySsnoitidnoCsgnitaRtinU
egatlovesab-ot-rotcelloCV
OBC
02V
egatlovrettime-ot-rotcelloCV
OEC
01V
egatlovesab-ot-rettimEV
OBE
2V
tnerruCrotcelloCI
C
07Am
noitapissiDrotcelloCP
C
mm052(draobcimarecnodetnuom
2
×
)mm8.0007Wm
erutarepmeTnoitcnuJjT 051
erutarepmeTegarotSgtsT 051+ot55–
retemaraPlobmySsnoitidnoC
sgnitaR
tinU
nimpytxam
tnerruCffotuCrotcelloCI
OBC
V
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E
0=0.1Aµ
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OBE
V
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C
0=01Aµ
niaGtnerruCCD
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V
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C
Am02=
*06*072
tcudorphtdiwdnab-niaGf
T
V
EC
i,v5=
C
Am02=
5.45.6zHG
ecnaticapaCtuptuOboCV
BC
zhm1=f,v01=
58.03.1Fp
ecnaticapaCrefsnarTesreveRerCV
BC
zhm1=f,v01=
55.0Fp
021D06081E09072F531
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