1
Item 标识 比率 单位
流-源 电压 V
DS
600
持续的 流 电流 I
D
±12
搏动 流 电流 I
d(puls]
±48
门-源 电压 V
GS
±30
repetitive 或者 非-repetitive I
ar *2
12
最大 avalanche 活力 E
作 *1
183
最大 流-源 dv/dt dV
DS
/dt
*4
20
顶峰 二极管 恢复 dv/dt dv/dt
*3
5
最大值 电源 消耗 P
D
Ta=25
°C
1.67
Tc=25
°C
195
运行 和 存储 T
ch
+150
温度 范围 T
stg
电的 特性 (t
c
=25°c 除非 否则 指定)
Thermalcharacteristics
2sk3513-01l,s,sj
fuji 电源 场效应晶体管
n-频道 硅 电源 场效应晶体管
特性
高 速 切换
低 在-阻抗
非 secondary breadown
低 驱动 电源
avalanche-proof
产品
切换 regulators
ups (uninterruptible 电源 供应)
直流-直流 转换器
最大 比率 和 典型的
绝对 最大 比率
(tc=25°c 除非 否则 指定)
Item 标识 测试 情况
零 门 电压 流 电流 i
DSS
V
DS
=600v v
GS
=0V
V
DS
=480v v
GS
=0V
V
GS
=±30V
I
D
=5a v
GS
=10V
I
D
=5a v
DS
=25V
V
CC
=300v i
D
=5A
V
GS
=10V
R
GS
=10
Ω
最小值 典型值 最大值 单位
V
V
µA
nA
Ω
S
pF
nC
一个
V
µs
µC
ns
最小值 典型值 最大值 单位
热的 阻抗
R
th(ch-c)
频道 至 情况
R
th(ch-一个)
频道 至 包围的
0.641
75.0
°c/w
°c/w
标识
V
(br)dss
V
gs(th)
I
GSS
R
ds(在)
g
fs
C
iss
C
oss
C
rss
td
(在)
t
r
td
(止)
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
I
AV
V
SD
t
rr
Q
rr
Item
流-源 损坏 voltaget
门 门槛 电压
门-源 泄漏 电流
流-源 在-状态 阻抗
向前 transcondutance
输入 电容
输出 电容
反转 转移 电容
转变-在 时间 t
在
转变-止 时间 t
止
总的 门 承担
门-源 承担
门-流 承担
avalanche 能力
二极管 向前 在-电压
反转 恢复 时间
反转 恢复 承担
测试 情况
I
D
=1ma v
GS
=0V
I
D
= 250
µ
一个 v
DS
=V
GS
T
ch
=25°C
T
ch
=125°C
V
DS
=0V
V
DS
=25V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
CC
=250V
I
D
=10A
V
GS
=10V
l=2.33mh t
ch
=25°C
I
F
=10a v
GS
=0v t
ch
=25°C
I
F
=10a v
GS
=0V
-di/dt=100a/µs
T
ch
=25°C
V
一个
一个
V
一个
mJ
kv/µs
kv/µs
W
°C
°C
600
3.0 5.0
25
250
10 100
0.58 0.75
48
1200 1800
140 210
69
17 26
15 23
35 53
711
30 45
11 16.5
10 15
12
1.00 1.50
0.75
5.0
-55 至 +150
外形 绘画 [mm]
相等的 电路 图式
门(g)
源(s)
流(d)
超级的 fap-g 序列
*3 i
F
-i
D
, -di/dt=50a/µs, vcc bv
DSS
, tch 150°c
=
<
=
<
=
<
*4 vds 600v
<
=
P4
200303
*1 l=2.33mh, vcc=60v, 看 至 avalanche 活力 图表 *2 tch 150°c
=
<
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