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资料编号:1115770
 
资料名称:2SD313
 
文件大小: 35K
   
说明
 
介绍:
TO-220 Plastic-Encapsulate Transistors
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
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4
jiangsu changjiang electronics 技术 co., 有限公司
sot-23 塑料-encapsulate 晶体管
A1015LT1
晶体管 (pnp)
特性
电源 消耗
P
cm:
0.2 w (tamb=25
)
集电级 电流
I
cm:
-0.15 一个
集电级-根基 电压
V
(br)cbo:
-50 v
运行 和 存储 接合面 温度 范围
T
J
stg
: -55
至 +150
电的 特性 (tamb=25
除非 否则 指定)
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
集电级-根基 损坏 电压
V
(br)cbo
ic= -100
µ
一个, i
E
=0
-50 V
集电级-发射级 损坏 电压
V
(br)ceo
ic= -0.1ma, i
B
=0 -50 V
发射级-根基 损坏 电压
v(br)
EBO
I
E
= -10µa, i
C
=0 -5 v
集电级 截-止 电流
I
CBO
V
CB
=-50v , i
E
=0 -0.1
µ
一个
集电级 截-止 电流
I
CEO
V
CE
= -50v , i
B
=0 -0.1
µ
一个
发射级 截-止 电流
I
EBO
V
EB
=- 5v , i
C
=0 -0.1
µ
一个
直流 电流 增益
H
fe(1)
V
CE
=-6v, i
C
= -2ma 130 400
集电级-发射级 饱和 电压
V
CE
(sat) i
C
=-100 毫安, i
B
= -10ma -0.3 V
根基-发射级 饱和 电压
V
(sat) i
C
=-100 毫安, i
B
= -10ma -1.1 V
转变 频率
f
T
V
CE
=-10v, i
C
= -1m一个
f=
30MHz
80 MHz
分类 的 h
fe(1)
分级
l h
范围
130-200 200-400
标记
BA
单位: mm
sot-23
1. 根基
2. 发射级
3. 集电级
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