jiangsu changjiang electronics 技术 co., 有限公司
至-92 塑料-encapsulate 晶体管
2SC536
晶体管 (npn)
特性
电源 消耗
P
CM
: 400 mw(tamb=25
℃
)
集电级 电流
I
CM
: 100 毫安
集电级-根基 电压
V
(br)cbo
: 40 v
运行 和 存储 接合面 温度 范围
T
J
, t
stg
: -55
℃
至 +150
℃
电的 特性 (tamb=25
℃
除非 否则 指定)
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值
单位
集电级-根基 损坏 电压
V
(br)cbo
ic=100µa, i
E
=0 40 v
集电级-发射级 损坏 电压
V
(br)ceo
ic=1ma, i
B
=0 30 v
发射级-根基 损坏 电压
V
(br)ebo
I
E
=100µa, i
C
=0 5 v
集电级 截-止 电流
I
CBO
V
CB
=35v, i
E
=0 1 µa
发射级 截-止 电流
I
EBO
V
EB
=4v, i
C
=0 1 µa
直流 电流 增益
h
FE
V
CE
=6v, i
C
=1ma 60 960
集电级-发射级 饱和 电压
V
CE
(sat) i
C
=50ma, i
B
=5ma 0.5 v
转变 频率
f
T
V
CE
=6v, i
C
=1ma 100 mhz
集电级 输出 电容
cob v
CE
=6v, f=1mhz 3.5 pf
分类 的 h
FE
分级 d e f g h
范围
60-120 100-200 160-320 280-560 480-960
1
2
3
至-92
1. 发射级
2. 集电级
3. 根基
: 点此下载
