STV9306B_集成电路资料查询网

1/10十一月 2004
STW28NK60Z
n-频道 600 v - 0.155
Ω
- 27a 至-247
齐纳-保护 supermesh™ 场效应晶体管
表格 1: 一般 特性
■
典型 r
DS
(在) = 0.155
Ω
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极其 高 dv/dt 能力
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100% avalanche 测试
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门 承担 使减少到最低限度
■
非常 低 intrinsic capacitances
■
非常 好的 制造
REPEATIBILITY
描述
这 supermesh™
序列 是 得到 通过 一个
extreme optimization 的 st’s 好 established
strip-为基础 powermesh™ 布局. 在 增加 至
pushing 在-阻抗 significantly 向下, 特定的
小心 是 带去 至 确保 一个 非常 好的 dv/dt 能力
为 这 大多数 要求 应用. 此类 序列
complements st 全部 范围 的 高 vltage mos-
fets 包含 revolutionary msmesh™ 产品.
产品
■
高 电流, 高 速 切换
■
完美的 为 止-线条 电源 供应
■
welding machines
■
LIGHTING
表格 2: 顺序 代号
图示 1: 包装
图示 2: 内部的 图式 图解
类型 V
DSS
R
ds(在)
I
D
P
W
STW28NK60Z 600 v < 0.185
Ω
27 一个 350 w
1
2
3
至-247
部分 号码 标记 包装 包装
STW28NK60Z W28NK60Z 至-247 TUBE
rev. 1

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内　容:
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1/10十一月 2004 STW28NK60Z n-频道 600 v - 0.155 Ω - 27a 至-247 齐纳-保护 supermesh™ 场效应晶体管表格 1: 一般特性 ■ 典型 r DS (在) = 0.155 Ω ■ 极其高 dv/dt 能力 ■ 100% avalanche 测试 ■ 门承担使减少到最低限度 ■ 非常低 intrinsic capacitances ■ 非常好的制造 REPEATIBILITY 描述这 supermesh™ 序列是得到通过一个 extreme optimization 的 st’s 好 established strip-为基础 powermesh™ 布局. 在增加至 pushing 在-阻抗 significantly 向下, 特定的小心是带去至确保一个非常好的 dv/dt 能力为这大多数要求应用. 此类序列 complements st 全部范围的高 vltage mos- fets 包含 revolutionary msmesh™ 产品. 产品 ■ 高电流, 高速切换 ■ 完美的为止-线条电源供应 ■ welding machines ■ LIGHTING 表格 2: 顺序代号图示 1: 包装图示 2: 内部的图式图解类型 V DSS R ds(在) I D P W STW28NK60Z 600 v < 0.185 Ω 27 一个 350 w 1 2 3 至-247 部分号码标记包装包装 STW28NK60Z W28NK60Z 至-247 TUBE rev. 1

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