这个 设备 是 设计 在 这 表面 挂载 包装 为 一般
频率 控制 和 tuning 产品. 它 提供 solid–state
可靠性 在 替换 的 机械的 tuning 方法.
•
控制 和 uniform tuning 比率
最大 比率
比率 标识 值 单位
反转 电压 V
R
30 Vdc
向前 电流 I
F
200 mAdc
设备 消耗 @ t
一个
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
225
1.8
mW
mw/
°
C
接合面 温度 T
J
+125
°
C
存储 温度 范围 T
stg
–55 至 +150
°
C
设备 标记
mmbv105glt1 = m4e
电的 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
典型的 标识 最小值 最大值 单位
反转 损坏 电压
(i
R
= 10
µ
模数转换器)
V
(br)r
30 — Vdc
反转 电压 泄漏 电流
(v
R
= 28 vdc)
I
R
— 50 nAdc
设备 类型
C
T
V
R
= 25 vdc, f = 1.0 mhz
pF
Q
V
R
= 3.0 vdc
f = 50 mhz
C
R
C
3
/c
25
f = 1.0 mhz
最小值 最大值 Typ 最小值 最大值
MMBV105GLT1 1.5 2.8 250 4.0 6.5
Preferred
设备 是 在 半导体 推荐 choices 为 future 使用 和 最好的 整体的 值.
半导体 组件 industries, llc, 2001
march, 2001 – rev. 2
1
发行 顺序 号码:
mmbv105glt1/d
30 volt
电压 能变的
电容 二极管
在 半导体 preferred 设备
1
2
3
情况 318–08, 样式 8
sot–23 (to–236ab)
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