2003. 1. 22 1/1
半导体
技术的 数据
e35a21vps, e35a21vpr
堆栈 硅 diffused 二极管
修订 非 : 0
alternator 二极管 为 automotive 应用.
特性
平均 向前 电流 : i
O
=35a.
齐纳 电压 : 21v(典型值.)
极性
e35a21vps (+ 类型)
e35a21vpr (- 类型)
最大 比率 (ta=25 )
DIM 毫米
一个
B
D
E 1.55
h-pf
Φ
11.7+0.1/-0
3.85+0/-0.2
Φ
1.45 0.1
D
L1
B
G
L2
E
F1
F2
一个
0.5
3.1
8.4 最大值
G
F2
L1
0.32
MILLIMETERSDIM
F1
L2
DIM MILLIMETERSTYPE
R
S
极性
21.5+0/-1.5
17.5+0/-1.5
+
_
电的 特性 (ta=25 )
典型的 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
顶峰 向前 电压
V
F
I
FM
=100A
- - 1.10 V
齐纳 电压
V
Z
I
Z
=10mA
19 21 23 V
反转 电流
I
R
V
R
=17V
- - 10
一个
瞬时 热的 阻抗
V
F
I
FM
=100a, i
M
=100ma, pw=100ms
- - 130 mV
反转 泄漏 电流 下面
高 温度
HI
R
Ta=150 , v
R
=17V
- - 2.5 毫安
温度 阻抗
R
th
直流 总的 接合面 至 情况 - 0.83 -
/w
典型的 标识 比率 单位
平均 向前 电流
I
f(av)
35 一个
顶峰 1 循环 surge 电流
I
FSM
300 (60hz) 一个
repetitive 顶峰
反转 surge 电流
(脉冲波 宽度=10ms)
I
RSM
35 一个
瞬时 顶峰 反转 电压
V
RSM
18 V
顶峰 反转 电压
V
RM
16 V
接合面 温度
T
j
-40 200
存储 温度 范围
T
stg
-40 200
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