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TM
文件 号码
3197.4
hs-6664rh
辐射 硬化 8k x 8 cmos prom
这 Intersil hs-6664rh 是 一个 辐射 硬化 64K CMOS
prom, 有组织的 在 一个 8k 文字 用 8-位 format. 这 碎片 是
制造的 使用 一个 辐射 硬化 cmos 处理,
和 运用 同步的 电路 设计 技巧 至
达到 高 速 效能 和 非常 低 电源
消耗.
在-碎片 地址 latches 是 提供, 准许 容易
接合 和 微处理器 那 使用 一个 多路复用
地址/数据 总线 结构. 这 输出 使能 控制 (
g)
simplifies 系统 接合 用 准许 输出 数据 总线
控制 在 增加 至 这 碎片 使能 控制 (
e). 所有 位 是
制造的 storing 一个 logical “0” 和 能 是 selectively
编写程序 为 一个 logical “1” 在 任何 位 location.
产品 为 这 hs-6664rh cmos prom 包含 低
电源 微处理器 为基础 仪器 和
communications 系统, 偏远的 数据 acquisition 和
处理 系统, 和 处理器 控制 存储.
specifications 为 rad hard qml 设备 是 控制
用 这 Defense 供应 中心 在 Columbus (dscc). 这
smd 号码 列表 here 必须 是 使用 当 订货.
详细地 电的 specifications 为 这些 设备 是
包含 在 smd 5962-95626. 一个 “hot-link” 是 提供
在 我们的 homepage 为 downloading.
www.intersil.com/spacedefense/空间.htm
特性
• 用电气 screened 至 smd # 5962-95626
• qml qualified 每 mil-prf-38535 (所需的)东西
• 1.2 micron 辐射 硬化 大(量) cmos
• 总的 剂量 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300 克拉(si) (最大值)
• 瞬时 输出 upset. . . . . . . . . . . . . .>5 x 10
8
rad(si)/s
• let >100 mev-cm
2
/mg
• 快 进入 时间 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35ns (典型值)
• 单独的 5v 电源 供应
• 单独的 脉冲波 10v 地方 可编程序的
• 同步的 运作
• 在-碎片 地址 latches
• 三-状态 输出
• nicr fuses
• 低 备用物品 电流. . . . . . . . . . . . . . <500
µ
一个 (前-rad)
• 低 运行 电流 . . . . . . . . . . . . . . . . . . <15ma/mhz
• 军队 温度 范围 . . . . . . . . . . . -55
o
c 至 125
o
C
订货 信息
订货 号码
内部的
mkt. 号码
温度 范围
(
o
c)
5962F9562601QXC hs1-6664rh-8 -55 至 125
5962F9562601QYC hs9-6664rh-8 -55 至 125
5962F9562601VXC hs1-6664rh-q -55 至 125
5962F9562601VYC hs9-6664rh-q -55 至 125
hs1-6664rh/proto hs1-6664rh/proto -55 至 125
hs9-6664rh/proto hs9-6664rh/proto -55 至 125
数据 薄板 8月 2000
提醒: 这些 设备 是 敏感的 至 静电的 释放; follow 恰当的 ic 处理 程序.
1-888-intersil 或者 321-724-7143
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intersil 和 设计 是 一个 商标 的 intersil 公司.
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版权 © intersil 公司 2000
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