4-mbit (256k x 16) 静态的 内存
CY7C1041CV33
Cypress 半导体 公司
• 3901 北 第一 街道 • San Jose
,
ca 95134 • 408-943-2600
文档 #: 38-05134 rev. *f 修订 april 29, 2004
特性
• 管脚 相等的 至 cy7c1041bv33
• 温度 范围
— 商业的: 0°c 至 70°c
— 工业的: –40°c 至 85°c
— automotive: –40°c 至 125°c
•high 速
—t
AA
= 10 ns
• 低 起作用的 电源
— 324 mw (最大值.)
• 2.0v 数据 保持
• 自动 电源-向下 当 deselected
• ttl-兼容 输入 和 输出
• 容易 记忆 expansion 和 ce
和 oe特性
函数的 描述
[1]
这 cy7c1041cv33 是 一个 高-效能 cmos 静态的
内存 有组织的 作 262,144 words 用 16 位.
writing 至 这 设备 是 accomplished 用 带去 碎片 使能
(ce
) 和 写 使能 (我们) 输入 低. 如果 字节 低 使能
(ble
) 是 低, 然后 数据 从 i/o 管脚 (i/o
0
–i/o
7
), 是 写
在 这 location 指定 在 这 地址 管脚 (一个
0
–A
17
). 如果 字节
高 使能 (bhe
) 是 低, 然后 数据 从 i/o 管脚
(i/o
8
–i/o
15
) 是 写 在 这 location 指定 在 这
地址 管脚 (一个
0
–A
17
).
读 从 这 设备 是 accomplished 用 带去 碎片
使能 (ce
) 和 输出 使能 (oe) 低 当 forcing 这
写 使能 (我们
) 高. 如果 字节 低 使能 (ble) 是 低,
然后 数据 从 这 记忆 location 指定 用 这 地址
管脚 将 呈现 在 i/o
0
– i/o
7
. 如果 字节 高 使能 (bhe) 是
低, 然后 数据 从 记忆 将 呈现 在 i/o
8
至 i/o
15
. 看
这 真实 表格 在 这 后面的 的这个 数据 薄板 为 一个 完全
描述 的 读 和 写 模式.
这 输入/输出 管脚 (i/o
0
–i/o
15
) 是 放置 在 一个
高-阻抗 状态 当 这 设备 是 deselected (ce
高), 这 输出 是 无能 (oe高), 这 bhe和 ble
是 无能 (bhe, ble高), 或者 在 一个 写 运作
(ce
低, 和 我们低).
这 cy7c1041cv33 是 有 在 一个 标准 44-管脚
400-mil-宽 身体 宽度 soj 和 44-管脚 tsop ii 包装
和 中心 电源 和 地面 (revolutionary) 引脚, 作 好
作 一个 48-球 fine-程度 球 grid 排列 (fbga) 包装.
注释:
1. 为 指导原则 在 sram 系统 设计, 请 谈及 至 这 “system 设计 guidelines” cypress application 便条,有 在 the 互联网 在 www.cypress.com.
14
15
逻辑 块 图解 管脚 配置
一个
1
一个
2
一个
3
一个
4
一个
5
一个
6
一个
7
一个
8
COLUMN
解码器
行 解码器
sense 放大器
输入 缓存区
256k × 16
排列
一个
0
一个
11
一个
13
一个
12
一个
一个
一个
16
一个
17
一个
9
一个
10
1024 x 4096
i/o
0
–i/o
7
OE
i/o
8
–i/o
15
CE
我们
BLE
BHE
顶 视图
SOJ
tsop ii
我们
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
14
31
32
36
35
34
33
37
40
39
38
12
13
41
44
43
42
16
15
29
30
V
CC
一个
5
一个
6
一个
7
一个
8
一个
0
一个
1
OE
V
SS
一个
17
i/o
15
一个
2
CE
i/o
2
i/o
0
i/o
1
BHE
一个
3
一个
4
18
17
20
19
i/o
3
27
28
25
26
22
21
23
24
V
SS
i/o
6
i/o
4
i/o
5
i/o
7
一个
16
一个
15
BLE
V
CC
i/o
14
i/o
13
i/o
12
i/o
11
i/o
10
i/o
9
i/o
8
一个
14
一个
13
一个
12
一个
11
一个
9
一个
10
NC
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