12月 2004
文档 控制 #ml0022 rev 1.0
1
STK14CA8
128k x 8
AutoStore
TM
nvSRAM
QuantumTrap
TM
CMOS
nonvolatile 静态的
内存
特性
•
25ns, 35ns 和 45ns 进入 时间
•
“hands-off” 自动
STORE
在 电源 向下
和 仅有的 一个 小 电容
•
STORE
至
QuantumTrap™
Nonvolatile
elements 是 initiated 用 软件 , 设备 管脚
或者
AutoStore
™ 在 电源 向下
•
RECALL
至 sram initiated 用 软件 或者
电源 向上
•
Unlimited
读, 写
和
RECALL
循环
•
5ma 典型 i
CC
在 200ns 循环 时间
•
1,000,000
STORE
循环 至
QuantumTrap™
•
100-年 数据 保持 至
QuantumTrap™
•
单独的 3v +20%, -10% 运作
•
商业的 和 工业的 温度
•
soic, ssop 和 插件 包装
•
rohs 遵从
描述
这 simtek stk14ca8 是 一个 快 静态的 内存 和 一个
nonvolatile 元素 在 各自 记忆 cell. 这
embedded nonvolatile elements 包含
Simtek’s
QuantumTrap
TM
技术 producing 这
world’s 大多数 可依靠的 nonvolatile 记忆. 这
sram 提供 unlimited 读 和 写 循环,
当 独立, nonvolatile 数据 resides 在 这
高级地 可依靠的
QuantumTrap
TM
cell. 数据 transfers
从 这 sram 至 这 nonvolatile elements (这
STORE
运作) takes 放置 automatically 在
电源 向下. 在 电源 向上, 数据 是 restored 至 这
sram (这
RECALL
运作) 从 这 nonvolatile
记忆. 两个都 这
STORE
和
RECALL
行动
是 也 有 下面 软件 控制.
块 图解
行 解码器 输入 缓存区
column dec
G
E
W
column i/o
电源
控制
HSB
store/
RECALL
控制
软件
发现
一个
15
– 一个
0
一个
5
一个
6
一个
7
一个
8
一个
9
一个
12
一个
13
一个
14
一个
15
一个
16
quantum trap
1024 x 1024
静态的 内存
排列
1024 x 1024
STORE
RECALL
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
一个
0
一个
1
一个
2
一个
3
一个
4
一个
10
一个
11
V
CC
V
CAP
图示 1. 块 图解
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