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1
EN29LV800
rev 0.4 释放 日期: 2002/01/29
da0.
特性
•
单独的 电源 供应 运作
- 全部 电压 范围: 2.7-3.6 volt 读 和 写
行动 为 电池-powered 产品.
- 管制 电压 范围: 3.0-3.6 volt 读
和 写 行动 和 为 兼容性 和
高 效能 3.3 volt 微处理器.
•
制造的 在 0.28 µm 处理 技术
•
高 效能
- 进入 时间 作 快 作 70 ns
•
低 电源 消耗量 (典型 值 在 5
mhz)
- 7 毫安 典型 起作用的 读 电流
- 15 毫安 典型 程序/擦掉 电流
- 1
µ
一个 典型 备用物品 电流 (标准 进入
时间 至 起作用的 模式)
•
有伸缩性的 sector architecture:
- 一个 16 kbyte, 二 8 kbyte, 一个 32 kbyte, 和
fifteen 64 kbyte sectors (字节 模式)
- 一个 8 kword, 二 4 kword, 一个 16 kword
和 fifteen 32 kword sectors (文字 模式)
- 支持 全部 碎片 擦掉
- 单独的 sector 擦掉 supported
- sector 保护:
硬件 locking 的 sectors 至 阻止
程序 或者 擦掉 行动 在里面 单独的
sectors
additionally, temporary sector 组
unprotect 准许 代号 改变 在 先前
锁 sectors.
•
高 效能 程序/擦掉 速
- 字节/word 程序 时间: 8µs 典型
- sector 擦掉 时间: 500ms 典型
•
电子元件工业联合会 标准 程序 和 擦掉
commands
•
电子元件工业联合会 标准
数据
polling 和 toggle
位 特性
•
单独的 sector 和 碎片 擦掉
•
sector unprotect 模式
•
embedded 擦掉 和 程序 algorithms
•
擦掉 suspend / 重新开始 模式:
读 或者 程序 另一 sector 在
擦掉 suspend 模式
•
0.28 µm 翻倍-metal 翻倍-poly
triple-好 cmos flash 技术
•
低 vcc 写 inhibit < 2.5v
•
>100k 程序/擦掉 忍耐力 循环
•
48-管脚 tsop (类型 1)
•
商业的 温度 范围
一般 描述
这 en29lv800 是 一个 8-megabit, 用电气 可擦掉的, 读/写 非-易变的 flash memory,
有组织的 作 1,048,576 字节 或者 524,288 words. 任何 字节 能 是 编写程序 典型地 在 10µs.
这 en29lv800 特性 3.0v 电压 读 和 写 运作, 和 进入 时间 作 快 作 55ns 至
eliminate 这 需要 为 wait states 在 高-效能 微处理器 系统.
这 en29lv800 有 独立的 输出 使能 (
OE
), 碎片 使能 (
CE
), 和 write 使能 (we)
控制, 这个 eliminate 总线 contention issues. 这个 设备 是 设计 至 准许 也 单独的Sector
或者 全部 碎片 擦掉 运作, 在哪里 各自 sector 能 是 individually 保护 相反 程序/擦掉
行动 或者 temporarily unprotected 至 擦掉 或者 程序. 这 设备 能 支持 一个 最小 的
100k 程序/擦掉 循环 在 各自 sector.
EN29LV800
8 megabit (1024k x 8-位 / 512k x 16-位) flash 记忆
激励 sector flash 记忆, cmos 3.0 volt-仅有的
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