标识 最大值 q2 单位
V
DS
V
V
GS
V
I
DM
T
J
, t
STG
°C
标识 单位
R
θ
JL
标识 单位
R
θ
JL
40
48 62.5
°c/w
最大 接合面-至-含铅的
C
稳步的-状态
35
62.5
t
≤
10s
R
θ
JA
48
最大 接合面-至-包围的
一个
稳步的-状态
74
°c/w
最大 接合面-至-包围的
一个
稳步的-状态
74 110
最大 接合面-至-含铅的
C
稳步的-状态
35 40
最大 接合面-至-包围的
一个
门-源 电压 ±12
30
绝对 最大 比率 t
一个
=25°c 除非 否则 指出
参数
流-源 电压
最大值 q1
W
-55 至 150 -55 至 150junction 和 存储 温度 范围
2
1.28 1.28
T
一个
=25°C
T
一个
=70°C
2
一个
7.8
30 40
9.8
6.8
T
一个
=25°C
T
一个
=70°C
电源 消耗
P
D
搏动 流 电流
B
持续的 流
电流
一个
I
D
30
±20
8.5
典型值 maxparameter: 热的 特性 场效应晶体管 q1
参数: 热的 特性 场效应晶体管 q2
最大 接合面-至-包围的
一个
t
≤
10s
典型值 最大值
R
θ
JA
110
AO4824
asymmetric 双 n-频道 增强 模式 地方 效应
晶体管
特性
q1 q2
V
DS
(v) = 30v v
DS
(v) = 30v
I
D
= 8.5a i
D
=9.8a (v
GS
= 10v)
R
ds(在)
< 17m
Ω
<13m
Ω
(v
GS
= 10v)
R
ds(在)
< 27m
Ω
<15m
Ω
(v
GS
= 4.5v)
一般 描述
这 ao4824 使用 先进的 trench 技术 至
提供 极好的 r
ds(在)
和 低 门 承担. 这
二 mosfets 制造 一个 紧凑的 和 效率高的 转变
和 同步的 整流器 结合体 为 使用 在 直流-
直流 转换器.
标准 产品 ao4824 是 铅-自由
(满足 rohs &放大; sony 259 规格). ao4824l
是 一个 绿色 产品 订货 选项. ao4824 和
ao4824l 是 用电气 完全同样的.
G1
S1
G2
S2
D1
D1
D2
D2
1
2
3
4
8
7
6
5
G1
D1
S1
G2
D2
S2
soic-8
alpha &放大; omega 半导体, 有限公司.
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