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测试
VDE
(reinforced 类型)(标准 类型)
1
2
3
6
5
4
gu (一般 使用)-e 类型
[1-频道 (表格 b) type]
mminch
8.8
±
0.05
.346
±
.002
6.4
±
0.05
.252
±
.002
3.6
±
0.2
.142
±
.008
8.8
±
0.05
.346
±
.002
6.4
±
0.05
.252
±
.002
3.9
±
0.2
.154
±
.008
特性
1. 低 在 阻抗 为 正常情况下-
关闭 类型
这个 有 被 认识到 感谢 至 这 建造-
在 场效应晶体管 processed 用 我们的 专卖的
方法, dsd (翻倍-diffused 和 se-
lective doping) 方法.
,
,
,
,
源 electrode
N
–
N
+
N
+
N
+
P
+
N
+
N
+
P
+
门 electrode
passivation membrane
交叉 部分 的 这 正常情况下-关闭 类型 的
电源 mos
Intermediate
insulating
membrane
门
oxidation
membrane
流
electrode
2. 控制 低-水平的 相似物 信号
photomos 接转 特性 极其 低
关闭-电路 补偿 电压 至 使能
控制 的 低-水平的 相似物 信号 没有
扭曲量.
3. 高 敏锐的, 低 在 阻抗
能 控制 一个 最大 0.13 一个 加载 cur-
rent 和 一个 5 毫安 输入 电流. 低 在 re-
sistance 的 18
Ω
(aqv410eh). 稳固的
运作 因为 那里 是 非 metallic
联系 部分.
4. 低-水平的 止 状态 泄漏 电流
这 ssr 有 一个 止 状态 泄漏 电流
的 一些 milliamperes, whereas 这 pho-
tomos 接转 有 仅有的 100 pa 甚至 和
这 评估 加载 电压 的 400 v
(aqv414e).
5. reinforced 绝缘 5,000 v 类型
也 有.
更多 比 0.4 mm 内部的 绝缘 dis-
tance 在 输入 和 输出. con-
形式 至 en41003, en60950 (reinforced
绝缘).
典型 产品
• 安全 设备
• telepone 设备 (dial 脉冲波)
• 测量 设备
类型
*indicate 这 顶峰 交流 和 直流 值.
便条: 为 空间 reasons, 这 包装 类型 指示信号 "x" 和 "z" 是 omitted 从 这 seal.
类型
i/o 分开
电压
输出 rating*
部分 非.
包装 quantity
通过 孔
终端
表面-挂载 终端
加载
电压
加载
电流
tube 包装 样式
录音带 和 卷轴 包装 样式
Tube 录音带 和 卷轴
picked 从 这
1/2/3-管脚 一侧
picked 从 这
4/5/6-管脚 一侧
交流/直流
类型
1,500 v 交流
(标准)
400 v 120 毫安 AQV414E AQV414EA AQV414EAX AQV414EAZ
1 tube 包含
50 pcs.
1 批 包含
500 pcs.
1,000 pcs.
5,000 v 交流
(reinforced)
350 v 130 毫安 AQV410EH AQV410EHA AQV410EHAX AQV410EHAZ
400 v 120 毫安 AQV414EH AQV414EHA AQV414EHAX AQV414EHAZ
比率
1. 绝对 最大 比率 (包围的 温度: 25
°
C77
°
F)
Item 标识
类型 的
连接
aqv414e(一个) aqv410eh(一个) aqv414eh(一个) Remarks
输入
led 向前 电流 I
F
50 毫安
led 反转 电压 V
R
3 v
顶峰 forwrd 电流 I
FP
1 一个 f = 100 hz, 职责 因素 = 0.1%
电源 消耗 P
在
75 mw
输出
加载 电压 (顶峰 交流) V
L
400 v 350 v 400 v
持续的 加载 电流 I
L
一个 0.12 一个 0.13 一个 0.12 一个
一个 连接: 顶峰 交流, 直流
b,c 连接: 直流
B 0.13 一个 0.15 一个 0.13 一个
C 0.15 一个 0.17 一个 0.15 一个
顶峰 加载 电流 I
顶峰
0.3 一个 0.4 一个 0.3 一个
一个 连接: 100 ms (1 shot),
V
L
= 直流
电源 消耗 P
输出
500 mw
总的 电源 消耗 P
T
550 mw
i/o 分开 电压 V
iso
1,500 v 交流 5,000 v 交流 5,000 v 交流
温度
限制
运行 T
opr
–40
°
c 至 +85
°
C–40
°
f 至 +185
°
F
非-condensing 在 低
温度
存储 T
stg
–40
°
c 至 +100
°
C–40
°
f 至 +212
°
F
PhotoMOS
接转
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