1
16-megabit
2.7-volt 仅有的
串行
DataFlash
®
AT45DB161
初步的
特性
•
单独的 2.7v - 3.6v 供应
•
串行 接口 architecture
•
页 程序 运作
– 单独的 循环 reprogram (擦掉 和 程序)
– 4096 页 (528 字节/页) 主要的 记忆
•
optional 页 和 块 擦掉 行动
•
二 528-字节 sram 数据 缓存区 – 准许 接到 的 数据
当 reprogramming 的 nonvolatile 记忆
•
内部的 程序 和 控制 计时器
•
快 页 程序 时间 – 7 ms 典型
•
120
µ
µµ
µ
s 典型 页 至 缓存区 转移 时间
•
低 电源 消耗
– 4 毫安 起作用的 读 电流 典型
–3
µ
µµ
µ
一个 cmos 备用物品 电流 典型
•
13 mhz 最大值 时钟 频率
•
硬件 数据 保护 特性
•
串行 附带的 接口 (spi) 兼容 – 模式 0 和 3
•
cmos 和 ttl 兼容 输入 和 输出
•
商业的 和 工业的 温度 范围
描述
这 at45db161 是 一个 2.7-volt 仅有的, 串行 接口 flash 记忆 合适的 为 在-sys-
tem reprogramming. 它的 17,301,504 位 的 记忆 是 有组织的 作 4096 页 的
528 字节 各自. 在 增加 至 这 主要的 记忆, 这 at45db161 也 包含 二
sram 数据 缓存区 的 528 字节 各自. 这 缓存区 准许 接到 的 数据 当 一个
页 在 这 主要的 记忆 是 正在 reprogrammed. 不像 常规的 flash memo-
rev. 0807c–07/98
管脚 配置
管脚 名字 函数
CS
碎片 选择
SCK 串行 时钟
SI 串行 输入
所以 串行 输出
WP
硬件 页
写 保护 管脚
重置
碎片 重置
rdy/busy
准备好/busy
(持续)
tsop 顶 视图
Type1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
rdy/busy
重置
WP
NC
NC
VCC
地
NC
NC
NC
CS
SCK
SI
所以
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
PLCC
5
6
7
8
9
10
11
12
13
29
28
27
26
25
24
23
22
21
SCK
SI
所以
NC
NC
NC
NC
NC
NC
WP
重置
rdy/busy
NC
NC
NC
NC
NC
NC
4
3
2
1
32
31
30
14
15
16
17
18
19
20
NC
NC
直流
直流
NC
NC
NC
CS
NC
NC
地
VCC
NC
NC
SOIC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
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20
19
18
17
16
15
地
NC
NC
CS
SCK
SI
所以
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
VCC
NC
NC
WP
重置
rdy/busy
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
cbga 顶 视图
通过 包装
一个
B
C
D
E
1
2345
NC
NC
NC
NC
NC
VCC
WP
重置
NC
NC
地
rdy/bsy
SI
NC
NC
SCK
CS
所以
NC
NC
NC
NC
NC
NC
便条: plcc 包装 管脚 16
和 17 是 don’t 连接
AT45DB161
初步的 16-
megabit 2.7-volt
仅有的 串行
DataFlash
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