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2–16 ghz 低 噪音
镓 砷化物 场效应晶体管
技术的 数据
atf-13736
36 微观的-x 包装
特性
• 低 噪音 图示:
1.8␣ db 典型 在 12␣ GHz
• 高 有关联的 增益:
9.0␣ db 典型 在 12␣ GHz
• 高 输出 电源:
17.5␣ db 典型 在 12␣ GHz
• 费用 有效的 陶瓷的
microstrip 包装
• 录音带-和-卷轴 包装
选项 有
[1]
电的 规格, t
一个
= 25
°
C
标识 参数 和 测试 情况 单位 最小值 典型值 最大值
NF
O
最佳的 噪音 图示: v
DS
= 2.5 v, i
DS
= 20 毫安 f = 8.0 ghz dB 1.5
f = 12.0 ghz dB 1.8 2.2
f = 14.0 ghz dB 2.1
G
一个
增益 @ nf
O
: v
DS
= 2.5 v, i
DS
= 20 毫安 f = 8.0 ghz dB 11.5
f = 12.0 ghz dB 8.0 9.0
f = 14.0 ghz dB 7.0
P
1 db
电源 输出 @ 1 db 增益 压缩: f=12.0 ghz dBm 17.5
V
DS
= 4 v, i
DS
= 40 毫安
G
1 db
1 db compressed 增益: v
DS
= 4 v, i
DS
= 40 毫安 f = 12.0 ghz dB 8.5
g
m
跨导: v
DS
= 2.5 v, v
GS
= 0 v mmho 25 55
I
DSS
saturated 流 电流: v
DS
= 2.5 v, v
GS
= 0 v 毫安 40 50 90
V
P
pinch-止 电压: v
DS
= 2.5 v, i
DS
=1m一个 V -4.0 -1.5 -0.5
便条:
1.
谈及 至 包装 部分 “tape-和-卷轴 包装 为 表面 挂载 semiconductors”.
描述
这 atf-13736 是 一个 高 perfor-
mance 镓 砷化物 肖特基-
屏障-门 地方 效应 晶体管
housed 在 一个 费用 有效的
microstrip 包装. 它的 噪音
图示 制造 这个 设备 appropri-
ate 为 使用 在 这 增益 stages 的
低 噪音 放大器 运行 在
这 2-16 ghz 频率 范围.
这个 gaas 场效应晶体管 设备 有 一个
名义上的 0.3 micron 门 长度
和 一个 总的 门 periphery 的
5965-8722e
250␣ microns. proven 金 为基础
敷金属 系统 和 渗氮
passivation 使确信 一个 坚毅的,
可依靠的 设备.
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