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资料编号:158574
 
资料名称:BA1283
 
文件大小: 54.43K
   
说明
 
介绍:
Silicon Planar Diodes
 
 


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ba1282.ba1283
vishay telefunken
rev. 2, 01-apr-99 1 (4)
www.vishay.de
faxback +1-408-970-5600
文档 号码 85525
硅 planar 二极管
特性
D
节省 空间
D
密封的 sealed 部分
D
合适的 面向 sod 323 footprints
D
电的 数据 完全同样的 和 这 设备
ba682.ba683 / ba982.ba983
D
低 差别的 向前 阻抗
D
D
高 反转 阻抗
产品
96 12315
绝对 最大 比率
T
j
= 25
_
C
参数 测试 情况 类型 标识 单位
反转 电压 V
R
35 V
向前 电流 I
F
100 毫安
接合面 温度 T
j
150
°
C
存储 温度 范围 T
stg
–55...+150
°
C
最大 热的 阻抗
T
j
= 25
_
C
参数 测试 情况 标识 单位
接合面 包围的 挂载 在 epoxy–glass hard tissue,
图. 1 35
m
m 铜 clad, 0.9 mm
2
范围 每 electrode
R
thJA
500 k/w
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