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双-在-线条, soic-8 和 msop-8
S
D
NC V-
地 在
V+ V
L
2
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4
8
7
6
5
顶 视图
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双-在-线条, soic-8 和 msop-8
D S
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v-
地
在
V+ V
L
2
3
4
8
7
6
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顶 视图
DG417B
DG419B
dg417b/418b/419b
vishay siliconix
新 产品
文档 号码:72107
s-31538—rev. b, 11-8月-03
www.vishay.com
1
精确 cmos 相似物 switches
特性 益处 产品
15-v 相似物 信号 范围
在-resistance—r
ds(在)
: 15
快 切换 action—t
在
: 100 ns
ttl 和 cmos 兼容
msop-8 和 soic-8 包装
宽 动态 范围
低 信号 errors 和 扭曲量
破裂-在之前-制造 切换 action
简单的 接合
减少 板 空间
改进 可靠性
精确 测试 设备
精确 仪器
电池 powered 系统
样本-和-支撑 电路
军队 收音机
guidance 和 控制 系统
hard disk 驱动
描述
这 dg417b/418b/419b 大而单一的 cmos 相似物 switches
是 设计 至 提供 高 效能 切换 的
相似物 信号. 结合 低 电源, 低 leakages, 高
速,低 在-阻抗 和 小 物理的 大小, 这 dg417b
序列 是 ideally suited 为 可携带的 和 电池
powered 工业的 和 军队 产品 需要 高
效能 和 效率高的 使用 的 板 空间.
至 达到 高-电压 比率 和 更好的 切换
效能,这 dg417b 序列 是 建造在 vishaySiliconix’s
高电压 硅 门 (hvsg) 处理. 破裂-在之前-制造
是 有保证的 为 这 dg419b, 这个 是 一个 spdt
配置. 一个 外延的 layer 阻止 latchup.
各自转变 conducts equally 好 在 两个都 方向 当 在,
和 blocks 向上 至 这 电源 供应 水平的 当 止.
这 dg417b 和 dg418b respond 至 opposite 控制 逻辑
水平 作 显示 在 这 真实 表格.
函数的 块 图解 和 管脚 配置
真实 表格
逻辑 DG417B DG418B
0 在 止
1 止 在
逻辑 “0” =
0.8 v, 逻辑 “1” =
2.4 v
真实 tabledg419b
逻辑 SW
1
SW
2
0 在 止
1 止 在
逻辑 “0” =
0.8 v, 逻辑 “1” =
2.4 v
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