BAS70-04LT1_集成电路资料查询网

leshan 无线电 公司, 有限公司.
bas70-04lt1–1/2
双 序列
肖特基 屏障 二极管
bas70-04lt1
1
3
2
情况 318–08, 样式 11
sot–23  (to–236ab)
*
70v 肖特基 屏障 二极管
3
cathode/anode
ANODE
1
CATHODE
2
这些 肖特基 屏障 二极管 是 设计
为 高 速 切换 产品, 电路
保护, 和 电压 夹紧. 极其 低
向前 电压 减少 传导 丧失. 最小值-
iature 表面 挂载 包装 是 极好的 为
hand 使保持 和 可携带的 产品 在哪里
空间 是 限制.
•
极其 快 切换 速
•
低 向前 电压 — 0.75 伏特 (典型值)
@ i
F
= 10 madc
最大 比率
(t
J
= 150°c 除非 否则 指出)
比率 标识 值 单位
反转 电压 V
R
70 伏特
向前 电源 消耗 P
F
@ t
一个
= 25°c 225 mW
减额 在之上 25°c 1.8 mw/°c
运行 接合面 和 存储
T
J
, t
stg
–55 至 +150 °C
温度 范围
电的 特性
(t
一个
= 25°c 除非 否则 指出)
典型的 标识 最小值 最大值 单位
反转 损坏 电压 (i
R
= 10
µ
一个) V
(br)r
70 — 伏特
Total 电容 (V
R
= 1.0V, f = 1.0 mhz)C
T
—2.0pF
反转 泄漏 (V
R
= 50 v)I
R
—0.1
µ
模数转换器
(v
R
= 70v) — 10
向前 voltage (i
F
= 1.0 madc) V
F
— 410 mVdc
向前 voltage (i
F
= 10 madc) V
F
— 750 mVdc
向前 voltage (i
F
= 15 madc) V
F
— 1.0 Vdc

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leshan 无线电公司, 有限公司. bas70-04lt1–1/2 双序列肖特基屏障二极管 bas70-04lt1 1 3 2 情况 318–08, 样式 11 sot–23 (to–236ab) * 70v 肖特基屏障二极管 3 cathode/anode ANODE 1 CATHODE 2 这些肖特基屏障二极管是设计为高速切换产品, 电路保护, 和电压夹紧. 极其低向前电压减少传导丧失. 最小值- iature 表面挂载包装是极好的为 hand 使保持和可携带的产品在哪里空间是限制. • 极其快切换速 • 低向前电压 — 0.75 伏特 (典型值) @ i F = 10 madc 最大比率 (t J = 150°c 除非否则指出) 比率标识值单位反转电压 V R 70 伏特向前电源消耗 P F @ t 一个 = 25°c 225 mW 减额在之上 25°c 1.8 mw/°c 运行接合面和存储 T J , t stg –55 至 +150 °C 温度范围电的特性 (t 一个 = 25°c 除非否则指出) 典型的标识最小值最大值单位反转损坏电压 (i R = 10 µ 一个) V (br)r 70 — 伏特 Total 电容 (V R = 1.0V, f = 1.0 mhz)C T —2.0pF 反转泄漏 (V R = 50 v)I R —0.1 µ 模数转换器 (v R = 70v) — 10 向前 voltage (i F = 1.0 madc) V F — 410 mVdc 向前 voltage (i F = 10 madc) V F — 750 mVdc 向前 voltage (i F = 15 madc) V F — 1.0 Vdc

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