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资料编号:160496
 
资料名称:BAS16U
 
文件大小: 517.45K
   
说明
 
介绍:
Silicon Switching Diode
 
 


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浏览型号BAS16U的Datasheet PDF文件第2页
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
电压: 75 - 200 伏特
电源: 200 mwatts
bas16w, bas19w, bas20w, bas21w
特性
机械的 数据
情况: sot -23, 塑料
terminals : solderable 每 nil-标准 -202,
方法 208
approx. 重量: 0.008 gram
快 switchingspeed
表面 挂载 包装 ideally suited 为
自动 嵌入
用电气 完全同样的 至 标准 电子元件工业联合会
高 conductance
表面 挂载 切换 diodesurface 挂载 切换 二极管
COMCHIPCOMCHIP
MDS0304001A
页 1
参数 标识 BAS16W BAS19W BAS20W BAS21W 单位
反转 电压
V
R
75 100 150 200 V
顶峰 反转 电压
V
RM
100 120 200 250 V
调整的 电流 (平均), half wave 整流
和 resistive 加载 和 f >=50 hz
I
O
250 200 200 200 毫安
顶峰 向前 surge 电流, 8.3ms 单独的 half sine-
波 superimposed 在 评估 加载 (电子元件工业联合会 方法)
I
FSM
2.0 2.5 2.5 2.5 一个
电源 消耗 减额 在之上 25°c
P
TOT
200 200 200 200 mW
最大 向前 电压 @ i
F
=10mA
@ i
F
=100mA
最大 直流 反转 电流 在 评估 直流 块ing
电压 t
J
= 25°c
I
R
1.0 0.1 0.1 0.1 uA
典型 接合面 电容 (notes1)
C
J
2.0 1.5 1.5 1.5 pF
最大 反转 恢复 (notes2)
T
RR
6.0 50.0 50.0 50.0 nS
最大 热的 resistance
R
JA
°c/w
存储 温度 范围
T
J
°C
便条:
1. c
J
在 v
R
=0, f=1mhz
2. 从 i
F
=10ma 至 i
R
=1ma, v
R
=6volts, r
L
=100?
最大 比率 和 电的 characterics
357
-55 至 +125
V
比率 在 25°c 包围的 温度 除非 否则 specified. 单独的 阶段, half 波,
60 hz, resistive 或者 inductive 加载. 为 电容的 加载, 减额 电流 用 20%.
V
F
0.855 1.0 1.0 1.0
单独的
bas16w, bas19w, bas20w, bas21w
sot-323
维度 在 英寸 (毫米)
.056(1.4)
.047(1.2)
.004(0.1)最大值
.087
(2.2)
.016 (.40)
.016 (.40) 最大值
顶 视图
.087
(2.2)
.00
6
(0.15)
.04
4
(1.1
0
)
.070 (1.8)
.045 (1.15)
.00
2
(0.
0
5)
.078(2.0)
.03
5
(0.9
0
)
.016(.40)
.054(1.35
)
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