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资料编号:160506
 
资料名称:BAS70W
 
文件大小: 172.73K
   
说明
 
介绍:
Silicon Schottky Diode (General-purpose diodes for high-speed switching Circuit protection Voltage clamping)
 
 


: 点此下载
 
1
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
ds30113 rev. 一个-2 1 的 1 bas70w/ -04/ -05/ -06
低 转变-在 电压
快 切换
PN 接合面 守卫 环绕 为 瞬时 和
静电释放 保护
过激-小 表面 挂载 包装
特性
一个
E
J
L
M
B
C
H
G
D
K
视图
机械的 数据
情况: sot-323, 模塑的 塑料
terminals: Solderable mil-标准-202,
方法 208
极性: 看 图解
标记: 看 图解
挂载 位置: 任何
approx. 重量: 0.006 grams
bas70w/ -04/ -05/ -06
表面 挂载 肖特基 屏障 二极管
sot-323
Dim 最小值 最大值
一个
0.30 0.40
B
1.15 1.35
C
2.00 2.20
D
0.65 名义上的
E
0.30 0.40
G
1.20 1.40
H
1.80 2.20
J
0.0 0.10
K
0.90 1.00
L
0.25 0.40
M
0.10 0.25
所有 维度 在 mm
注释: 1. 有效的 提供 那 terminals 是 保持 在 包围的 温度.
2. 测试 时期 <3000
s.
电的 比率
@ t
一个
= 25°c 除非 否则 指定
bas70w 标记: k73
bas70w-04 标记: k74 bas70w-05 标记: k75
bas70w-06 标记: k76
典型的 标识 BAS70W 单位
顶峰 repetitive 反转 电压
working 顶峰 反转 电压
直流 blocking 电压
V
RRM
V
RWM
V
R
70 V
rms 反转 电压
V
r(rms)
49 V
向前 持续的 电流 (便条 1)
I
F
70 毫安
非-repetitive 顶峰 向前 surge 电流 @ t
p
1.0s
I
FSM
100 毫安
电源 消耗 (便条 1)
P
d
200 mW
热的 阻抗 接合面 至 包围的 空气 (便条 1)
R
JA
625 k/w
运行 接合面 温度 范围
T
j
-55 至 +125 °C
存储 温度 范围
T
STG
-65 至 +150 °C
最大 比率 和 电的 特性, 单独的 二极管
@ t
一个
= 25°c 除非 否则 指定
典型的 标识 最小值 最大值 单位 测试 情况
反转 损坏 电压 (便条 2)
V
(br)r
70
I
R
= 10
一个
向前 电压
V
FM
410
1000
mV
t
p
<300µs, i
F
= 1.0ma
t
p
<300µs, i
F
= 15ma
顶峰 反转 电流
I
RM
100 nA
t
p
< 300µs, V
R
= 50v
接合面 电容
C
j
2.0 pF
V
R
= 0v, f = 1.0mhz
反转 恢复 时间
t
rr
5.0 ns
I
F
= i
R
= 10ma 至 i
R
= 1.0ma,
irr = 0.1 x i
R
, r
L
= 100
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