首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:160594
 
资料名称:BAS83
 
文件大小: 43.99K
   
说明
 
介绍:
Schottky barrier diodes
 
 


: 点此下载
 
1
浏览型号BAS83的Datasheet PDF文件第2页
2
浏览型号BAS83的Datasheet PDF文件第3页
3
浏览型号BAS83的Datasheet PDF文件第4页
4
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
bas81...bas83
vishay telefunken
rev. 3, 01-apr-99 1 (4)
www.vishay.de
faxback +1-408-970-5600
文档 号码 85509
肖特基 屏障 二极管
特性
D
整体的 保护 环绕 相反 静态的 dis-
承担
D
低 电容
D
低 泄漏 电流
D
低 向前 电压 漏出
D
保护 电路
二极管 为 低 电流 和 一个 低 供应 电压
小 电池 charger
电源 供应
直流 / 直流 转换器 为 notebooks
94 9371
绝对 最大 比率
T
j
= 25
_
C
参数 测试 情况 类型 标识 单位
反转 电压 BAS81 V
R
40 Vg
BAS82 V
R
50 V
BAS83 V
R
60 V
顶峰 向前 surge 电流 t
p
=1s I
FSM
500 毫安
repetitive 顶峰 向前 电流 I
FRM
150 毫安
向前 电流 I
F
30 毫安
j
125
°
C
存储 温度 范围 T
stg
–65...+150
°
C
最大 热的 阻抗
T
j
= 25
_
C
参数 测试 情况 标识 单位
接合面 包围的 在 pc 板 50mmx50mmx1.6mm R
thJA
320 k/w
电的 特性
T
j
= 25
_
C
参数 测试 情况 类型 标识 最小值 Typ 最大值 单位
向前 电压 I
F
=0.1ma V
F
330 mVg
I
F
=1mA V
F
410 mV
I
F
=15mA V
F
1 V
反转 电流 V
R
=V
Rmax
I
R
200 nA
二极管 电容 V
R
D
1.6 pF
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com