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资料编号:161239
 
资料名称:BAW56S
 
文件大小: 128.41K
   
说明
 
介绍:
Silicon Switching Diode
 
 


: 点此下载
 
1
浏览型号BAW56S的Datasheet PDF文件第2页
2
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
www.comchip.com.tw
COMCHIP
sot-323
维度 在 英寸 (毫米)
MDS030
2
00
3
一个
页 1
.056(1.4)
.047(1.2)
.004 (0.1) 最大值
.087 (2.2)
.016 (.40)
.016 (.40) 最大值
顶 视图
.087 (2.2)
.00
6
(0.15)
.04
4
(1.1
0
)
.070 (1.8)
.045 (1.15)
.00
2
(0.
0
5)
.078(2. 0)
.03
5
(0.9
0
)
.016 (.40)
.054 (1.35
)
比率 标识 单位
持续的 反转 电压
V
R
70
V
直流
顶峰 向前 电流
I
F
215 mAdc
顶峰 向前 surge 电流
I
FM
(surge)
500 mAdc
典型的 标识 最大值 单位
总的 设备 消耗 fr– 5 板(1) t
一个
= 25°c
225 mW
减额 在之上 25°c 1.8 mw/°c
热的 阻抗, 接合面 至 包围的
R
JA
556 °c/w
总的 设备 消耗 alumina 基质,(2) t
一个
= 25°c
300 mW
减额 在之上 25°c 2.4
mw/°c
热的 阻抗, 接合面 至 包围的
R
JA
417
°c/w
接合面 和 存储 温度 T
J
, t
st
g
–55 至 +150
°C
典型的 (止 特性) 标识
最小值
最大值 单位
反转 损坏 电压 ( i
(br)
= 100 uadc ) V
(br)
70
- Vdc
反转 电压 泄漏 电流 v
R
= 25 vdc, t
J
= 150°c
-
30
V
R
= 70 vdc
-
2.5
V
R
= 70 vdc, t
J
= 150°c
-
50
二极管 电容 (v
R
= 0, f = 1.0 mhz))
C
D
1.5
pF
向前 电压 I
F
= 1.0 madc
-
715
I
F
= 10 madc
-
855
I
F
= 50 madc
-
1000
I
F
= 150 madc
- 1250
反转 恢复 时间 (i
F
= i
R
= 10 madc, i
r(rec)
= 1.0madc) r
L
= 100
Trr
6.0
nS
mV
1.fr–5 = 1.0 x 0.75x 0.062 in. 2.
= 0.4x 0.3x 0.024 在. 99.5%
.
P
D
电的 characterics (ta = 25°c 除非 否则 指出)
I
R
VF
最大 比率
热的 特性
P
D
uAdc
CATHODE
1
2
BAV99
W
ANODE
CATHODE
3
ANODE
1
2
CATHODE
3
ANODE
CATHODE
1
2
ANODE
CATHODE
3
ANODE
CATHODE
1
2
ANODE
CATHODE
3
ANODE
BAL99
W
BAW56
W
BAV7
0W
3
21
电压: 70 伏特
电流: 215ma
BAV99
W
thru baw56
W
特性
快 切换 速
表面 挂载 包装 ideally suited
为 自动 insertio
为 一般 目的切换 产品
高 conductance
机械的 数据
情况: sot -
3
23, 塑料
approx. 重量: 0.008 gram
这个 二极管 是 也 有 在 其它
碎片 inside 和类型
配置 包含 一个 双 一般
cathode 和 类型 designation bav70
W
,
一个 双
一般 anodes 和 类型 designation
baw56 和 单独的
designation bal99
W
表面 挂载 切换 二极管
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