1
) 有效的, 如果 leads 是 保持 在 包围的 温度 在 一个 距离 的 2 mm 从 情况
gültig, wenn 消逝 anschlußdrähte 在 2 mm abstand von gehäuse auf umgebungstemperatur gehalten werden
2
01.11.2003
bc 327 / bc 328 一般 目的 晶体管
PNP si-外延的
PlanarTransistors PNP
电源 消耗 – verlustleistung 625 mw
塑料 情况 至-92
Kunststoffgehäuse (10d3)
重量 approx. – gewicht ca. 0.18 g
塑料 材料 有ul 分类 94v-0
gehäusematerial ul94v-0 klassifiziert
标准 固定
1 = c 2 = b 3 = e
标准 包装 带子系紧 在 ammo 包装
标准 lieferform gegurtet 在 ammo-包装
最大 比率 (t
一个
= 25
c) Grenzwerte
(t
一个
= 25
c)
bc 327 bc 328
集电级-发射级-电压 b 打开 - v
CE0
45 v 25 v
集电级-发射级-电压 b 短接 - v
CES
50 v 30 v
发射级-根基-电压 c 打开 - v
EB0
5 v
电源 消耗 – verlustleistung P
tot
625 mw
1
)
集电级 电流 – kollektorstrom (直流) - i
C
800 毫安
顶峰 coll. 电流 – kollektor-spitzenstrom - i
CM
1 一个
根基 电流 – basisstrom - i
B
100 毫安
接合面 温度 – sperrschichttemperatur T
j
150
C
存储 温度 – lagerungstemperatur T
S
- 65…+ 150
C
特性, t
j
= 25
C kennwerte, t
j
= 25
C
最小值 典型值 最大值
直流 电流 增益 – kollektor-基准-stromverhältnis
- v
CE
= 1 v, - i
C
= 100 毫安
组 -16 h
FE
100 160 250
组 -25 h
FE
160 250 400
组 -40 h
FE
250 400 630
- v
CE
= 1 v, - i
C
= 300 毫安
组 -16 h
FE
60 130 –
组 -25 h
FE
100 200 –
组 -40 h
FE
170 320 –
: 点此下载
