BC369
pnp 一般 目的 放大器
绝对 最大 ratings*
ta = 25°c 除非 否则 指出
*
这些 比率 是 限制的 值 在之上 这个 这 serviceability 的 任何 半导体 设备 将 是 impaired.
热的 特性
ta = 25°c 除非 否则 指出
标识 参数 值 单位
V
CEO
集电级-发射级 电压 20 V
V
CES
Collector-根基 电压 25 V
V
EBO
发射级-根基 电压 5.0 V
I
C
集电级 电流 - 持续的 1.5 一个
T
J
, t
stg
运行 和 存储 接合面 温度 范围 -55 至 +150
°
C
标识 典型的 最大值 单位
BC369
P
D
总的 设备 消耗
减额 在之上 25
°
C
625
5.0
mW
mW/
°
C
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面 至 情况 83.3
°
c/w
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面 至 包围的 200
°
c/w
这个 设备 是 设计 为 一般 目的 中等 电源
放大器 和 switches 需要 集电级 电流 至 1.2 一个.
sourced 从 处理 77.
B
C
E
至-92
1997 仙童 半导体 公司
注释:
1)
这些 比率 是 为基础 在 一个 最大 接合面 温度 的 150 degrees c.
2)
这些 是 稳步的 状态 限制. 这 工厂 应当 是 consulted 在 产品 involving 搏动 或者 低 职责 循环 行动.
3)
所有 电压 (v) 和 电流 (一个) 是 负的 极性 为 pnp 晶体管.
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