©2002 仙童 半导体 公司 rev. a2, 8月 2002
bc337/338
npn 外延的 硅 晶体管
绝对 最大 比率
T
一个
=25
°
c 除非 否则 指出
电的 特性
T
一个
=25
°
C
除非 否则 指出
h
FE
分类
标识 参数 值 单位
V
CES
集电级-发射级 电压
: bc337
: bc338
50
30
V
V
V
CEO
集电级-发射级 电压
: bc337
: bc338
45
25
V
V
V
EBO
发射级-根基 电压 5 V
I
C
集电级 电流 (直流) 800 毫安
P
C
集电级 电源 消耗 625 mW
T
J
接合面 温度 150
°
C
T
STG
存储 温度 -55 ~ 150
°
C
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
BV
CEO
集电级-发射级 损坏 电压
: bc337
: bc338
I
C
=10ma, i
B
=0
45
25
V
V
BV
CES
集电级-发射级 损坏 电压
: bc337
: bc338
I
C
=0.1ma, v
是
=0
50
30
V
V
BV
EBO
发射级-根基 损坏 电压 I
E
=0.1ma, i
C
=0 5 V
I
CES
集电级 截-止 电流
: bc337
: bc338
V
CE
=45v, i
B
=0
V
CE
=25v, i
B
=0
2
2
100
100
nA
nA
h
FE1
h
FE2
直流 电流 增益
V
CE
=1v, i
C
=100mA
V
CE
=1v, i
C
=300mA
100
60
630
V
CE
(sat) 集电级-发射级 饱和 电压 I
C
=500ma, i
B
=50mA 0.7 V
V
是
(在) 根基 发射级 在 电压 V
CE
=1v, i
C
=300mA 1.2 V
f
T
电流 增益 带宽 产品 V
CE
=5v, i
C
=10ma, f=50mhz 100 MHz
C
ob
输出 电容 V
CB
=10v, i
E
=0, f=1mhz 12 pF
分类 16 25 40
h
FE1
100 ~ 250 160 ~ 400 250 ~ 630
h
FE2
60- 100- 170-
bc337/338
切换 和 放大器 产品
• 合适的 为 af-驱动器 stages 和 低 电源 输出 stages
• complement 至 bc327/bc328
1. 集电级 2. 根基 3. 发射级
至-92
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