1
) 有效的, 如果 leads 是 保持 在 包围的 温度 在 一个 距离 的 2 mm 从 情况
gültig, wenn 消逝 anschlußdrähte 在 2 mm abstand von gehäuse auf umgebungstemperatur gehalten werden
8
01.11.2003
bc 556 ... bc 559 一般 目的 晶体管
PNP si-外延的
PlanarTransistors PNP
电源 消耗 – verlustleistung 500 mw
塑料 情况 至-92
Kunststoffgehäuse (10d3)
重量 approx. – gewicht ca. 0.18 g
塑料 材料 有ul 分类 94v-0
gehäusematerial ul94v-0 klassifiziert
标准 固定
1 = c 2 = b 3 = e
标准 包装 带子系紧 在 ammo 包装
标准 lieferform gegurtet 在 ammo-包装
最大 比率 (t
一个
= 25
c) Grenzwerte
(t
一个
= 25
c)
bc 556 bc 557 bc 558/559
集电级-发射级-电压 b 打开 - v
CE0
65 v 45 v 30 v
集电级-根基-电压 e 打开 - v
CB0
80 v 50 v 30 v
发射级-根基-电压 c 打开 - v
EB0
5 v
电源 消耗 – verlustleistung P
tot
500 mw
1
)
集电级 电流 – kollektorstrom (直流) - i
C
100 毫安
接合面 温度 – sperrschichttemperatur T
j
150
C
存储 温度 – lagerungstemperatur T
S
- 55…+ 150
C
特性 (t
j
= 25
c) kennwerte (t
j
= 25
c)
组 一个 组 b 组 c
直流 电流 增益 – kollektor-基准-stromverhältnis
- v
CE
= 5 v, - i
C
= 2 毫安 h
FE
110...220 200...460 420...800
h-参数 在 - v
CE
= 5v, - i
C
= 2 毫安, f = 1 khz
小 信号 电流 增益
Stromverstärkung
h
fe
典型值 220 典型值 330 典型值 600
输入 阻抗 – eingangsimpedanz h
ie
1.6...4.5 k
3.2...8.5 k
6...15 k
输出 admittance – ausg.-leitwert h
oe
18 < 30
S 30 < 60
S 60 < 110
S
反转 电压 转移 比率
Spannungsrückwirkung
h
re
典型值.1.5 *10
-4
典型值 2 *10
-4
典型值 3 *10
-4
集电级 饱和 电压 – kollektor-sättigungsspg.
- i
C
= 100 毫安, - i
B
= 5 毫安 -v
CEsat
– – 300 mv
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