©2003 仙童 半导体 公司 rev. 一个, january 2003
BC63916
npn 外延的 硅 晶体管
绝对 最大 比率
T
一个
=25
°
c 除非 否则 指出
•
pw=5ms, 职责 循环=10%
电的 特性
T
一个
=25
°
C
除非 否则 指出
标识 参数 值 单位
V
CER
集电级-发射级 电压 在 r
是
=1K
Ω
100 V
V
CES
集电级-发射级 电压 100 V
V
CEO
集电级-发射级 电压 80 V
V
EBO
发射级-根基 电压 5 V
I
C
集电级 电流 1 一个
P
C
集电级 电源 消耗 1 W
T
J
, t
STG
运行 和 存储 接合面 温度 范围 -55 ~ 150
°
C
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
BV
CBO
集电级-根基 损坏 电压 I
C
= 100
µ
一个, i
E
= 0 100 V
BV
CEO
集电级-发射级 损坏 电压 I
C
= 10ma, i
B
= 0 80 V
BV
EBO
发射级-根基 损坏 电压 I
E
= 10
µ
一个, i
C
= 0 5.0 V
I
CBO
集电级 截-止 电流 V
CB
= 30v, i
E
= 0 100 nA
I
EBO
发射级 截-止 电流 V
EB
= 5v, i
C
= 0 10
µ
一个
h
FE1
h
FE2
h
FE3
直流 电流 增益 V
CE
= 2v, i
C
= 5ma
V
CE
= 2v, i
C
= 150ma
V
CE
= 2v, i
C
= 500ma
25
100
25
250
V
CE
(sat) 集电级-发射级 饱和 电压 I
C
= 500ma, i
B
= 50ma 0.5 V
V
是
(在) 根基-发射级 在 电压 V
CE
= 2v, i
C
= 500ma 1 V
f
T
电流 增益 带宽 产品 V
CE
= 5v, i
C
=10ma,
f = 50mhz
100 MHz
BC63916
切换 和 放大器 产品
1. 发射级 2. 集电级 3. 根基
至-92
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