1
) 挂载 在 p.c. 板 和 3 mm
2
铜 垫子 在 各自 终端
montage auf leiterplatte mit 3 mm
2
kupferbelag (lötpad) 一个 jedem anschluß
2
01.11.2003
2.5
最大值
1.3
±0.1
1.1
2.9
±0.1
0.4
1
2
3
类型
代号
1.9
bc 807 / bc 808 一般 目的 晶体管
PNP
表面 挂载 si-外延的
PlanarTransistors
si-外延的 planartransistoren
für 消逝 oberflächenmontage
PNP
电源 消耗 – verlustleistung 310 mw
塑料 情况 sot-23
Kunststoffgehäuse (至-236)
重量 approx. – gewicht ca. 0.01 g
塑料 材料 有ul 分类 94v-0
gehäusematerial ul94v-0 klassifiziert
维度 / maße 在 mm
1 = b 2 = e 3 = c
标准 包装 带子系紧 和 卷盘
标准 lieferform gegurtet auf rolle
最大 比率 (t
一个
= 25
c) Grenzwerte
(t
一个
= 25
c)
bc 807 bc 808
集电级-发射级-电压 b 打开 - v
CE0
45 v 25 v
集电级-发射级-电压 b 短接 - v
CES
50 v 30 v
集电级-根基-电压 e 打开 - v
CB0
50 v 30 v
发射级-根基-电压 c 打开 - v
EB0
5 v
电源 消耗 – verlustleistung P
tot
310 mw
1
)
集电级 电流 – kollektorstrom (直流) - i
C
800 毫安
顶峰 coll. 电流 – kollektor-spitzenstrom - i
CM
1000 毫安
顶峰 根基 电流 – 基准-spitzenstrom - i
BM
200 毫安
顶峰 发射级 电流 – 发射级-spitzenstrom I
EM
1000 毫安
接合面 温度 – sperrschichttemperatur T
j
150
C
存储 温度 – lagerungstemperatur T
S
- 65…+ 150
C
特性, t
j
= 25
C kennwerte, t
j
= 25
C
最小值 典型值 最大值
直流 电流 增益 – kollektor-基准-stromverhältnis
- v
CE
= 1 v, - i
C
= 100 毫安
BC807
BC808
h
FE
100 – 600
- v
CE
= 1 v, - i
C
= 500 毫安 h
FE
40 – –
- v
CE
= 1 v, - i
C
= 100 毫安
组 -16 h
FE
100 160 250
组 -25 h
FE
160 250 400
组 -40 h
FE
250 400 600
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