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资料编号:163046
 
资料名称:BC808-40W
 
文件大小: 91.15K
   
说明
 
介绍:
PNP Silicon AF Transistor (For general AF applications High collector current High current gain)
 
 


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bc807w, bc808w
十一月-29-20011
pnp 硅 af 晶体管
为 一般 af 产品
高 集电级 电流
高 电流 增益
低 集电级-发射级 饱和 电压
complementary 类型: bc817w, bc818w (npn)
1
3
VSO05561
2
类型 标记 管脚 配置 包装
bc807-16w
bc807-25w
bc807-40w
bc808-16w
bc808-25w
bc808-40w
5As
5Bs
5Cs
5Es
5Fs
5Gs
1 = b
1 = b
1 = b
1 = b
1 = b
1 = b
2 = e
2 = e
2 = e
2 = e
2 = e
2 = e
3 = c
3 = c
3 = c
3 = c
3 = c
3 = c
SOT323
SOT323
SOT323
SOT323
SOT323
SOT323
最大 比率
参数
标识 unitbc 808wbc 807w
45
集电级-发射级 电压
25
V
CEO
V
集电级-根基 电压
V
CBO
50 30
发射级-根基 电压
V
EBO
5 5
直流 集电级 电流
I
C
500 毫安
顶峰 集电级 电流
I
CM
A1
根基 电流
mA100
I
B
200
I
BM
顶峰 根基 电流
总的 电源 消耗
,
T
S
= 130 °c mW250
P
tot
150
T
j
接合面 温度
°C
存储 温度
T
stg
-65 ... 150
热的 阻抗
接合面 - 焊接 要点
1)
R
thJS
80 k/w
1
为 计算 的
R
thJA
请 谈及 至 应用 便条 热的 阻抗
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