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m3–1/4
一般 目的 晶体管
npn 硅
最大 比率
BC847 BC848
比率
标识 BC846 BC850 BC849 单位
collector–emitter 电压 V
CEO
65 45 30 V
collector–base 电压 V
CBO
80 50 30 V
emitter–base 电压 V
EBO
6.0 6.0 5.0 V
集电级 电流 — 持续的 I
C
100 100 100 mAdc
集电级 电流(顶峰 值) I
CM
200 200 200 mAdc
发射级 电流(顶峰 值) I
EM
200 200 200 mAdc
根基 电流(顶峰 值) I
BM
200 200 200 mAdc
焊接 特性
典型的 标识 单位
焊盘 热温 阻抗 265 °C
可焊性 240 至 265 °C
热的 特性
典型的 标识 最大值 单位
总的 设备 消耗 fr– 5 板, (1) P
D
T
一个
= 25°c 225 mW
减额 在之上 25°c 1.8 mw/°c
热的 阻抗, 接合面 至 包围的 R
θθ
θθ
θ
JA
556 °c/w
总的 设备 消耗 P
D
alumina 基质, (2) t
一个
= 25°c 300 mW
减额 在之上 25°c 2.4 mw/°c
热的 阻抗, 接合面 至 包围的 R
θθ
θθ
θ
JA
417 °c/w
接合面 和 存储 温度 T
J
, t
stg
–55 至 +150 °C
设备 标记
bc846alt1 = 1a; bc846blt1 = 1b; bc847alt1 = 1e; bc847blt1 = 1f;
bc847clt1 = 1g; bc848alt1 = 1j; bc848blt1 = 1k; bc848clt1 = 1l
电的 特性
(t
一个
= 25°c 除非 否则 指出)
典型的 标识 最小值 典型值 最大值 单位
止 特性
collector–emitter 损坏 电压
bc846a,b 65 — —
(i
C
= 10 毫安) bc847a,b,c, bc850b,c V
(br)ceo
45 — — v
bc848a,b,c, bc849b,c 30 — —
collector–emitter 损坏 电压
bc846a,b 80 — —
(i
C
= 10
µ
一个, v
EB
= 0) bc847a,b,c, bc850b,c V
(br)ces
50 — — v
bc848a,b,c, bc849b,c 30 — —
collector–base 损坏 电压 bc846a,b 80 — —
(i
C
= 10
µ
一个) bc847a,b,c, bc850b,c V
(br)cbo
50 — — v
bc848a,b,c, bc849b,c 30 — —
emitter–base 损坏 电压 bc846a,b bc847a,b,c 6.0
(i
E
= 1.0
µ
一个) bc848a,b,c, bc849b,c, V
(br)ebo
5.0
bc850b,c 5.0
集电级 截止 电流 (v
CB
= 30 v)
I
CBO
——15nA
(v
CB
= 30 v, t
一个
= 150°c) — — 5.0
µ
一个
1. fr–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 在
2. alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.
1
3
2
bc846alt1,blt1
bc847alt1,blt1
clt1 thru
bc850blt1,clt1
情况 318–08, 样式 6
sot–23 (to–236ab)
2
发射级
3
集电级
1
根基
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