leshan 无线电 公司, 有限公司.
m7–1/6
1
3
2
一般 目的 晶体管
pnp 硅
最大 比率
比率 标识 值 单位
collector–emitter 电压 V
CEO
–32 Vdc
collector–base 电压 V
CBO
–32 Vdc
emitter–base 电压 V
EBO
–5.0 Vdc
集电级 电流 — 持续的 I
C
–100 mAdc
热的 特性
典型的 标识 最大值 单位
总的 设备 消耗 fr– 5 板, (1)
P
D
225 mW
T
一个
= 25°c
减额 在之上 25°c
1.8 mw/°c
热的 阻抗, 接合面 至 包围的 R
θ
JA
556 °c/w
总的 设备 消耗
P
D
300 mW
alumina 基质, (2) t
一个
= 25°c
减额 在之上 25°c
2.4 mw/°c
热的 阻抗, 接合面 至 包围的 R
θ
JA
417 °c/w
接合面 和 存储 温度 T
J
, t
stg
–55 至 +150 °C
设备 标记
bcw29lt1 = c1; bcw30lt1 = c2
电的 特性
(t
一个
= 25°c 除非 否则 指出.)
典型的 标识 最小值 最大值 单位
止 特性
collector–emitter 损坏 电压
(i
C
= –2.0madc, i
E
= 0 )
V
(br)ceo
–32 — Vdc
collector–emitter 损坏 电压
(i
C
= –100
µ
模数转换器, v
EB
= 0)
V
(br)ces
–32 — Vdc
collector–emitter 损坏 电压
(i
C
= –10
µ
模数转换器, i
C
= 0)
V
(br)cbo
–32 — Vdc
emitter–base 损坏 电压
(i
E
= –10
µ
模数转换器, i
C
= 0)
V
(br)ebo
–5.0 — Vdc
集电级 截止 电流 I
CBO
(v
CB
= –32 vdc, i
E
= 0 ) — –100 nAdc
(v
CB
= –32 vdc, i
E
= 0, t
一个
= 100°c) — –10
µ
模数转换器
1. fr–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.
2. alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.
BCW29LT1
BCW30LT1
1
发射级
3
集电级
2
根基
情况 318–08, 样式 6
sot–23 (to–236ab)
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