sot89 pnp 硅 planar
中等 电源 晶体管
公布 4 – march 2001
complimentary 类型 – bcx5616
partmarking detail – al
绝对 最大 比率.
参数 标识 值 单位
集电级-根基 电压 V
CBO
-100 V
集电级-发射级 电压 V
CEO
-80 V
发射级-根基 电压 V
EBO
-5 V
顶峰 脉冲波 电流 I
CM
-1.5 一个
持续的 集电级 电流 I
C
-1 一个
电源 消耗 在 t
amb
=25°C P
tot
1W
运行 和 存储 温度 范围 T
j
:t
stg
-65 至 +150 °C
电的 特性 (在 t
amb
= 25°c 除非 否则 陈述).
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位 情况.
集电级-根基
损坏 电压
V
(br)cbo
-100 V
ic =-100
µ
一个
集电级-发射级
损坏 电压
V
(br)ceo
-80 V ic =-10ma
发射级-根基
损坏 电压
V
(br)ebo
-5 V
I
E
=-10
µ
一个
集电级 截-止
电流
I
CBO
-0.1
-20
µ
一个
µ
一个
V
CB
=-30v
V
CB
=-30v, t
amb
=150°C
发射级 截-止 电流 I
EBO
-10
µ
一个
V
EB
=-4v
集电级-发射级
饱和 电压
V
ce(sat)
-0.5 V I
C
=-500ma, i
B
=-50ma*
根基-发射级 转变-在
电压
V
是(在)
-1.0 V I
C
=-500ma, v
CE
=-2v*
静态的 向前 电流
转移 比率
h
FE
25
100
25
250
I
C
=-5ma, v
CE
=-2v*
I
C
=-150ma, v
CE
=-2v*
I
C
=-500ma, v
CE
=-2v*
转变 频率 f
T
150 MHz I
C
=-50ma, v
CE
=-10v,
f=100MHz
输出 电容 C
obo
25 pF V
CB
=-10v, f=1mhz
*measured 下面 搏动 情况.
BCX5316
TBA
C
C
B
E
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