bfr193t/bfr193tw
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rev. 2, 14-二月-00
1 (4)
文档 号码
硅 npn planar rf 晶体管
静电的 敏感的 设备.
注意到 预防措施 为 处理.
产品
为 low–noise, high–gain 产品 此类 作 电源
放大器 向上 至 2ghz 和 为 直线的 broadband
放大器.
特性
D
低 噪音 图示
D
高 转变 频率 f
T
= 8 ghz
D
极好的 大-信号 behaviour
13 581
23
1
94 9280
bfr193t 标记: rc
塑料 情况 (sot 23)
1 = 集电级, 2 = 根基, 3 = 发射级
2
1
3
13 652
13 570
bfr193tw 标记: wrc
塑料 情况 (sot 323)
1 = 集电级, 2 = 根基, 3 = 发射级
绝对 最大 比率
T
amb
= 25
_
c, 除非 否则 指定
参数 测试 情况 标识 值 单位
集电级-根基 电压 V
CBO
20 V
集电级-发射级 电压 V
CEO
12 V
发射级-根基 电压 V
EBO
2 V
集电级 电流 I
C
80 毫安
总的 电源 消耗 T
amb
≤
45
°
C P
tot
420 mW
接合面 温度 T
j
150
°
C
存储 温度 范围 T
stg
–65 至 +150
°
C
最大 热的 阻抗
T
amb
= 25
_
c, 除非 否则 指定
参数 测试 情况 标识 值 单位
接合面 包围的 挂载 在 glass fibre 打印 板
(25 x 20 x 1.5) mm
3
镀有 和 35
m
m cu
R
thJA
250 k/w
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