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半导体 组 1 dec-12-1996
bft 93
pnp 硅 rf 晶体管
• 为 低 扭曲量 broadband 放大器 向上 至
1 ghz 在 集电级 电流 从 2ma 向上
至 20ma
静电释放
:
E
lectro
s
tatic
d
ischarge 敏感的 设备, 注意到 处理 precaution!
类型 标记 订货 代号 管脚 配置 包装
bft 93 X1s q62702-f1063 1 = b 2 = e 3 = c sot-23
最大 比率
参数 标识 值 单位
集电级-发射级 电压
V
CEO
12 V
集电级-根基 电压
V
CBO
15
发射级-根基 电压
V
EBO
2
集电级 电流
I
C
35 毫安
根基 电流
I
B
3
总的 电源 消耗
T
S
≤
58 °c
P
tot
300
mW
接合面 温度
T
j
150 °C
包围的 温度
T
一个
- 65 ... + 150
存储 温度
T
stg
- 65 ... + 150
热的 阻抗
接合面 - 焊接 要点
1)
R
thJS
≤
305 k/w
1)
T
S
是 量过的 在 这 集电级 含铅的 在 这 焊接 要点 至 这 pcb.

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半导体组 1 dec-12-1996 bft 93 pnp 硅 rf 晶体管 • 为低扭曲量 broadband 放大器向上至 1 ghz 在集电级电流从 2ma 向上至 20ma 静电释放 : E lectro s tatic d ischarge 敏感的设备, 注意到处理 precaution! 类型标记订货代号管脚配置包装 bft 93 X1s q62702-f1063 1 = b 2 = e 3 = c sot-23 最大比率参数标识值单位集电级-发射级电压 V CEO 12 V 集电级-根基电压 V CBO 15 发射级-根基电压 V EBO 2 集电级电流 I C 35 毫安根基电流 I B 3 总的电源消耗 T S ≤ 58 °c P tot 300 mW 接合面温度 T j 150 °C 包围的温度 T 一个 - 65 ... + 150 存储温度 T stg - 65 ... + 150 热的阻抗接合面 - 焊接要点 1) R thJS ≤ 305 k/w 1) T S 是量过的在这集电级含铅的在这焊接要点至这 pcb.

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