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bsp50 ... bsp52
1 十一月-30-2001
npn 硅 darlington 晶体管

高 集电级 电流

低 集电级-发射级 饱和 电压

complementary 类型: bsp60 ... bsp62 (pnp)
VPS05163
1
2
3
4
类型 标记 管脚 配置 包装
BSP50
BSP51
BSP52
bsp 50
bsp 51
bsp 52
1 = b
1 = b
1 = b
2 = c
2 = c
2 = c
3 = e
3 = e
3 = e
4 = c
4 = c
4 = c
SOT223
SOT223
SOT223
最大 比率
参数
标识
BSP50 BSP51 BSP52
单位
集电级-发射级 电压
V
CEO
45 60 80 V
集电级-根基 电压
V
CBO
60 80 90
发射级-根基 电压
V
EBO
5 5 5
直流 集电级 电流
I
C
1 一个
顶峰 集电级 电流
I
CM
2
根基 电流
mA100
I
B
总的 电源 消耗
,
T
S
= 124 °c
P
tot
1.5 W
接合面 温度
T
j
150 °C
存储 温度
T
stg
-65 ... 150
热的 阻抗
接合面 - 焊接 要点
1)
R
thJS

17 k/w
1
为 计算 的
R
thJA
请 谈及 至 应用 便条 热的 阻抗

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bsp50 ... bsp52 1 十一月-30-2001 npn 硅 darlington 晶体管  高集电级电流  低集电级-发射级饱和电压  complementary 类型: bsp60 ... bsp62 (pnp) VPS05163 1 2 3 4 类型标记管脚配置包装 BSP50 BSP51 BSP52 bsp 50 bsp 51 bsp 52 1 = b 1 = b 1 = b 2 = c 2 = c 2 = c 3 = e 3 = e 3 = e 4 = c 4 = c 4 = c SOT223 SOT223 SOT223 最大比率参数标识 BSP50 BSP51 BSP52 单位集电级-发射级电压 V CEO 45 60 80 V 集电级-根基电压 V CBO 60 80 90 发射级-根基电压 V EBO 5 5 5 直流集电级电流 I C 1 一个顶峰集电级电流 I CM 2 根基电流 mA100 I B 总的电源消耗 , T S = 124 °c P tot 1.5 W 接合面温度 T j 150 °C 存储温度 T stg -65 ... 150 热的阻抗接合面 - 焊接要点 1) R thJS  17 k/w 1 为计算的 R thJA 请谈及至应用便条热的阻抗

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