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©2002 仙童 半导体 公司 rev. a1, 十一月 2002
BSR58
绝对 最大 比率
T
C
=25
°
C
除非 否则 指出
电的 特性
T
C
=25
°
c 除非 否则 指出
标识 参数 值 单位
V
DGO
流-门 电压 40 V
V
GSO
门-源 电压 - 40 V
I
GF
向前 门 电流 50 毫安
P
tot
总的 电源 消耗 向上 至 t
amb
=40
°
C 250 mW
T
STG
存储 温度 范围 - 55 ~ 150
°
C
T
J
接合面 温度 150
°
C
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
BV
GSS
门-源 电压 V
DS
= 0v, i
C
= 1
µ
A40 V
I
GSS
门 反转 电流 V
GS
= 20v 1 nA
I
DSS
零-门 电压 流 电流 V
DS
= 15v, v
GS
= 0v 8 80 毫安
V
GS
(止) 门-源 截-止 电压 V
DS
= 15v, i
D
= 0.5na 0.8 4 V
V
DS
(在) 流-源 在 电压 V
GS
= 0v, i
D
= 5ma 0.4 V
r
ds
(在) 流-源 在 反转 V
GS
= 0v, i
D
= 0 60
Ω
C
rss
反转 转移 电容 V
DS
= 0v, v
GS
= 10v 5 pF
t
d
延迟 时间 V
DD
= 10v, v
GS
(在) = 0v
I
D
= 10ma, v
GS
(止) = 10v
10 nS
t
r
上升 时间 10 nS
t
止
转变-止 时间 100 nS
BSR58
n-频道 低-频率 低-噪音
放大器
• 这个 设备 是 设计 为 低-电源 chopper 或者 切换 应用
sourced 从 处理 51
sot-23
1. 流   2. 源  3. 门
1
2
3
mark: m6

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©2002 仙童半导体公司 rev. a1, 十一月 2002 BSR58 绝对最大比率 T C =25 ° C 除非否则指出电的特性 T C =25 ° c 除非否则指出标识参数值单位 V DGO 流-门电压 40 V V GSO 门-源电压 - 40 V I GF 向前门电流 50 毫安 P tot 总的电源消耗向上至 t amb =40 ° C 250 mW T STG 存储温度范围 - 55 ~ 150 ° C T J 接合面温度 150 ° C 标识参数测试情况最小值典型值最大值单位 BV GSS 门-源电压 V DS = 0v, i C = 1 µ A40 V I GSS 门反转电流 V GS = 20v 1 nA I DSS 零-门电压流电流 V DS = 15v, v GS = 0v 8 80 毫安 V GS (止) 门-源截-止电压 V DS = 15v, i D = 0.5na 0.8 4 V V DS (在) 流-源在电压 V GS = 0v, i D = 5ma 0.4 V r ds (在) 流-源在反转 V GS = 0v, i D = 0 60 Ω C rss 反转转移电容 V DS = 0v, v GS = 10v 5 pF t d 延迟时间 V DD = 10v, v GS (在) = 0v I D = 10ma, v GS (止) = 10v 10 nS t r 上升时间 10 nS t 止转变-止时间 100 nS BSR58 n-频道低-频率低-噪音放大器 • 这个设备是设计为低-电源 chopper 或者切换应用 sourced 从处理 51 sot-23 1. 流 2. 源 3. 门 1 2 3 mark: m6

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