sn54abt540, sn74abt540
octal 缓存区/驱动器
和 3-状态 输出
scbs188c – 二月 1991 – 修订 january 1997
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邮递 办公室 盒 655303
•
达拉斯市, 德州 75265
D
状态-的-这-艺术
epic-
ΙΙ
B
bicmos 设计
significantly 减少 电源 消耗
D
静电释放 保护 超过 2000 v 每
mil-标准-883, 方法 3015; 超过 200 v
使用 机器 模型 (c = 200 pf, r = 0)
D
获得-向上 效能 超过 500 毫安 每
电子元件工业联合会 标准 jesd-17
D
典型 v
OLP
(输出 地面 bounce) < 1 v
在 v
CC
= 5 v, t
一个
= 25
°
C
D
高-驱动 输出 (–32-毫安 i
OH
, 64-毫安I
OL
)
D
包装 选项 包含 塑料
小-外形 (dw), shrink 小-外形
(db), 和 薄的 shrink 小-外形 (pw)
包装, 陶瓷的 碎片 carriers (fk),
塑料 (n) 和 陶瓷的 (j) dips, 和
陶瓷的 flat (w) 包装
描述
这 ’abt540 octal 缓存区 和 线条 驱动器 是
完美的 为 驱动 总线 线条 或者 缓存区 记忆
地址 寄存器. 这 设备 特性 输入 和
输出 在 opposite sides 的 这 包装 那
facilitate 打印 电路 板 布局.
这 3-状态 控制 门 是 一个 2-输入 和 门 和
起作用的-低 输入 所以 那 如果 也 输出-使能
(oe1
或者 oe2) 输入 是 高, 所有 相应的
输出 是 在 这 高-阻抗 状态.
至 确保 这 高-阻抗 状态 在 电源 向上 或者 电源 向下, oe应当 是 系 至 v
CC
通过 一个 pullup
电阻; 这 最小 值 的 这 电阻 是 决定 用 这 电流-sinking 能力 的 这 驱动器.
这 sn54abt540 是 典型 为 运作 在 这 全部 军队 温度 范围 的 –55
°
c 至 125
°
c. 这
sn74abt540 是 典型 为 运作 从 –40
°
c 至 85
°
c.
函数 表格
输入
输出
OE1 OE2 一个
Y
L L L H
L LH L
H XX Z
X H X Z
版权
1997, 德州 器械 组成公司的
除非 否则 指出 这个 文档 包含 生产
数据 信息 电流 作 的 发行 日期. 产品 遵从 至
规格 每 这 条款 的 德州 器械 标准 保用单.
生产 处理 做 不 必然地 包含 测试 的 所有
参数.
请 是 知道 那 一个 重要的 注意 涉及 有效性, 标准 保用单, 和 使用 在 核心的 产品 的
德州 器械 半导体 产品 和 免责声明 附之 呈现 在 这 终止 的 这个 数据 薄板.
epic-
ΙΙ
b 是 一个 商标 的 德州 器械 组成公司的.
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SN54ABT540 ...j 或者 w pACKAGE
SN74ABT540 . . . db, dw, n, 或者 pw 包装
(顶 视图)
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SN54ABT540 . . . fk 包装
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