PROFET
®
BTS612N1
半导体 组 1 的 15 2003-oct-01
smart 二 频道 highside 电源 转变
特性
•
超载 保护
•
电流 限制
•
短的 电路 保护
•
热的 关闭
•
超（电）压 保护 (包含 加载 丢弃)
•
快 demagnetization 的 inductive 负载
•
反转 电池 保护
1
)
•
欠压 和 超（电）压 关闭 和
自动-重新开始 和 hysteresis
•
打开 流 diagnostic 输出
•
打开 加载 发现 在 止-状态
•
cmos 兼容 输入
•
丧失 的 地面 和 丧失 的
V
bb
保护
•
E
lectro
s
tatic
d
ischarge (
静电释放
) 保护
应用
•
µ
c 兼容 电源 转变 和 diagnostic
反馈 为 12 v 和 24 v 直流 grounded 负载
•
所有 类型 的 resistive, inductive 和 capacitve 负载
•
替代 electromechanical 接转, fuses 和 分离的 电路
一般 描述
n 频道 vertical 电源 场效应晶体管 和 承担 打气, 地面 关联 cmos 兼容 输入 和 diagnostic
反馈, monolithically 整体的 在 smart sipmos
技术. 供应 embedded protective 功能.
+ v
bb
IN1
ST
信号 地
静电释放
PROFET
OUT1
地
逻辑
电压
传感器
电压
源
打开 加载
发现 1
短的 至 vbb
水平的 shifter
温度
传感器 1
整流器 1
限制 为
unclamped
ind. 负载 1
门 1
保护
电流
限制 1
3
5
2
4
1
加载 地
加载
V
逻辑
超（电）压
保护
OUT2
打开 加载
发现 2
短的 至 vbb
水平的 shifter
温度
传感器 2
整流器 2
限制 为
unclamped
ind. 负载 2
门 2
保护
电流
限制 2
7
IN2
6
承担
打气 1
承担
打气 2
1
)
和 外部 电流 限制 (e.g. 电阻 r
地
=150
Ω
) 在 地 连接, 电阻 在 序列 和 st
连接, 反转 加载 电流 限制 用 连接 加载.
产品 summary
超（电）压 保护
V
bb(az)
43 V
运行 电压
V
bb(在)
5.0 ... 34 V
途径:
各自
两个都
并行的
在-状态 阻抗
R
在
200 100
m
Ω
加载 电流 (iso)
I
l(iso)
2.3 4.4 一个
电流 限制
I
l(scr)
4 4 一个
至-220ab/7
1
7
标准
1
7
笔直地 leads
1
7
SMD
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