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半导体 组
1 jul-30-1996
bup 309
IGBT
初步的 数据
• 高 切换 速
• 低 tail 电流
• 获得-向上 自由
• avalanche 评估
• 低 向前 电压 漏出
remark: 这 至-218 ab 情况 doesn't solve 这
standards vde 0110 和 ul 508 为 creeping 距离
管脚 1 管脚 2 管脚 3
G C E
类型
V
CE
I
C
包装 订货 代号
bup 309 1700V 25A 至-218 ab q67078-a4204-a2
最大 比率
参数 标识 值 单位
集电级-发射级 电压
V
CE
1700 V
集电级-门 电压
R
GE
= 20 k
Ω
V
CGR
1700
门-发射级 电压
V
GE
± 20
直流 集电级 电流
T
C
= 25 °c
T
C
= 90 °c
I
C
16
25
一个
搏动  集电级 电流,
t
p
= 1 ms
T
C
= 25 °c
T
C
= 90 °c
I
Cpuls
32
50
avalanche 活力, 单独的 脉冲波
I
C
= 15 一个,
V
CC
= 50 v,
R
GE
= 25
Ω
L
= 200 µh,
T
j
= 25 °c
E
作
23
mJ
电源 消耗
T
C
= 25 °c
P
tot
310
W
碎片 或者 运行 温度
T
j
-55 ... + 150 °C
存储 温度
T
stg
-55 ... + 150

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半导体组 1 jul-30-1996 bup 309 IGBT 初步的数据 • 高切换速 • 低 tail 电流 • 获得-向上自由 • avalanche 评估 • 低向前电压漏出 remark: 这至-218 ab 情况 doesn't solve 这 standards vde 0110 和 ul 508 为 creeping 距离管脚 1 管脚 2 管脚 3 G C E 类型 V CE I C 包装订货代号 bup 309 1700V 25A 至-218 ab q67078-a4204-a2 最大比率参数标识值单位集电级-发射级电压 V CE 1700 V 集电级-门电压 R GE = 20 k Ω V CGR 1700 门-发射级电压 V GE ± 20 直流集电级电流 T C = 25 °c T C = 90 °c I C 16 25 一个搏动集电级电流, t p = 1 ms T C = 25 °c T C = 90 °c I Cpuls 32 50 avalanche 活力, 单独的脉冲波 I C = 15 一个, V CC = 50 v, R GE = 25 Ω L = 200 µh, T j = 25 °c E 作 23 mJ 电源消耗 T C = 25 °c P tot 310 W 碎片或者运行温度 T j -55 ... + 150 °C 存储温度 T stg -55 ... + 150

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