一般 描述
highvoltage,高-速 切换 npn 晶体管 在 一个
metal 封套 ,primarily 为 使用 在 切换 电源
电路.
快 涉及 数据
限制的 值
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
CESM
集电级-发射级 电压 顶峰 值 V
是
= 0v 1000 V
V
CEO
集电级-发射级 电压 (打开 根基) 450 V
I
C
集电级 电流 (直流) 5 一个
I
CM
集电级 电流 peak value 10 一个
P
tot
总的 电源 消耗 T
mb
25 40 W
V
CEs一个t
集电级-发射级 饱和 电压 I
C
= 2.5a; i
B
= 0.5a 1.5 V
I
cs一个t
集电级 饱和 电流 f = 16khz 一个
V
F
二极管 向前 电压 V
t
f
下降 时间 I
C
=2.5a,i
B1
=-i
B2
=0.5a,v
CC
=150V 1.0 s
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
CESM
集电级-发射级 电压 顶峰 值 V
是
= 0v 1000 V
V
CEO
集电级-发射级 电压 (打开 根基) 450 V
V
EBO
发射级-根基 电压(打开 集电级) 5 V
I
C
集电级 电流 (直流) 5 一个
I
B
根基 电流 (直流) 2 一个
I
BM
根基 电流 顶峰 值 4 一个
P
tot
总的 电源 消耗 Tmb 25 40 W
T
stg
存储 温度 -55 150
T
j
接合面 温度 150
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
I
CE
集电级-发射级 截-止 电流 V
是
= 0v; v
CE
= v
CESMm一个x
1.0 毫安
I
CES
V
是
= 0v; v
CE
= v
CESMm一个x
2.0 毫安
T
j
= 125
V
CEOsust
集电级-发射级 sustaining 电压 I
B
= 0a; i
C
= 100ma V
l = 25mh
V
CEs一个t
集电级-发射级 饱和 电压 I
C
= 2.5a; i
B
= 0.5a 1.5 V
V
是s一个t
根基-发射级 satuation 电压 I
C
= 2.5a; i
B
= 0.5a 1.5 V
h
FE
直流 电流 增益 I
C
= 0.5a; v
CE
= 5v 10 50
V
F
二极管 向前 电压 V
f
T
转变 频率 在 f = 1mhz I
C
= 0.1a; v
CE
= 10v 5 MHz
C
c
集电级 电容 在 f = 1mhz V
CB
= 10v pF
t
s
切换 时间(16khz 线条 deflecton 电路)
I
C
=2.5a,i
B1
=-i
B2
=0.5a,v
CC
=150V 5.0 s
t
f
转变-止 存储 时间 转变-止 下降 时间 I
C
=2.5a,i
B1
=-i
B2
=0.5a,v
CC
=150V
1.0 s
电的 特性
至-220f
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BUT11AF
硅 diffused 电源 晶体管
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